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HMC485MS8GETR技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频混频器,封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 技术参数:IC MMIC MIXER HI IP3 8-MSOP
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HMC485MS8GETR技术参数详情说明:

HMC485MS8GETR是ADI(Analog Devices)公司推出的一款高性能单片微波集成电路(MMIC)混频器,采用先进的GaAs工艺制造,专为要求苛刻的无线通信基础设施应用而设计。该器件在1.7GHz至2.4GHz的宽频带范围内工作,覆盖了W-CDMA、CDMA、GSM和UMTS等主流无线通信标准的关键频段,其核心架构集成了一个双平衡混频器内核,并优化了内部匹配网络,确保了在宽频带内优异的端口匹配和信号隔离度。

该混频器的一个突出特点是其卓越的线性度性能,能够提供极高的输入三阶截点(IP3),这对于抑制现代通信系统中常见的强干扰信号、降低互调失真至关重要,从而有效保障了接收通道的灵敏度和信号保真度。尽管其噪声系数为9.8dB,但在高线性度设计的权衡下,这一指标对于基站接收机等对动态范围要求极高的应用场景而言是合理且优化的。器件支持上变频和下变频两种工作模式,具备出色的变频灵活性,其转换损耗在指定频带内保持平坦,确保了稳定的系统增益预算。

在接口与电气参数方面,HMC485MS8GETR采用单电源+5V供电,典型工作电流为45mA,功耗控制得当,有利于系统热设计。它采用紧凑的8引脚MSOP封装,符合表面贴装(SMT)工艺要求,便于高密度PCB布局。其射频端口(RF、LO、IF)均为内部直流阻断,并已进行50欧姆匹配,简化了外部电路设计。用户可通过专业的ADI代理商获取完整的设计支持,包括评估板、仿真模型和应用笔记,以加速产品开发进程。

该芯片主要面向蜂窝基站(如微基站、微微基站)、中继器、点对点无线电以及测试测量设备等应用场景。在这些系统中,其高线性度和宽频带特性使其能够高效处理多载波、高功率的射频信号,是提升接收机抗阻塞能力和发射机频谱纯净度的关键元件。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有系统和备件供应链中,它仍然是一款经过市场验证的经典高性能混频器解决方案。

  • 制造商产品型号:HMC485MS8GETR
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC MMIC MIXER HI IP3 8-MSOP
  • 系列:射频混频器
  • 包装:卷带(TR)
  • 零件状态:停产
  • 射频类型:W-CDMA,CDMA,GSM,UMTS
  • 频率:1.7GHz ~ 2.4GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:9.8dB
  • 辅助属性:升/降频器
  • 电流-供电:45mA
  • 电压-供电:5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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