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HMC460LC5TR-R5技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频放大器,封装:32-TFCQFN
  • 技术参数:IC RF AMP VSAT 0HZ-20GHZ 32CSMT
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HMC460LC5TR-R5技术参数详情说明:

HMC460LC5TR-R5是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的宽带、低噪声、高线性度射频放大器,采用先进的GaAs pHEMT工艺制造。该器件采用紧凑的32引脚、5mm x 5mm陶瓷QFN(TFCQFN)表面贴装封装,专为在极宽频带内提供稳定、可靠的信号放大而优化。其核心架构旨在实现从直流到20GHz的平坦增益响应,内部集成了匹配网络和偏置电路,极大简化了外部设计,确保了在复杂射频环境下的稳定性和可重复性。

该放大器在0Hz至20GHz的整个工作频段内,典型增益可达14dB,同时保持了优异的线性度,其输出1dB压缩点(P1dB)高达+17dBm。这一特性使其能够处理相对较高的输入信号功率而不会产生显著的增益压缩,这对于维持信号保真度至关重要。此外,仅4dB的典型噪声系数使其在接收链路前端应用中表现出色,能够有效提升系统的整体灵敏度。器件在8V单电源供电下仅消耗60mA的静态电流,体现了高能效的设计理念,非常适合对功耗有严格要求的便携式或电池供电系统。

在接口与参数方面,HMC460LC5TR-R5提供了完全匹配的50欧姆输入和输出,支持表面贴装(SMT)回流焊工艺,便于高密度PCB集成。其标称测试频率覆盖0至6GHz,但器件特性在高达20GHz的范围内均经过表征,确保了设计余量。稳定的性能表现使其对电源纹波和温度变化不敏感,简化了系统电源设计和热管理。对于需要可靠供应链和技术支持的工程师,可以通过ADI中国代理获取完整的数据手册、评估板以及应用技术支持。

得益于其超宽带、低噪声和高线性度的综合优势,该芯片非常适合应用于测试与测量设备、微波点对点通信、卫星通信(VSAT)终端、电子战(EW)系统以及宽带光纤基础设施等场景。它能够作为驱动放大器、增益模块或低噪声放大器(LNA),无缝集成于上下变频链路中,为系统提供从基带至Ku波段的信号调理能力,是构建高性能、宽频带射频前端的理想选择。

  • 制造商产品型号:HMC460LC5TR-R5
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC RF AMP VSAT 0HZ-20GHZ 32CSMT
  • 类别:RF-IF 和 RFID 射频放大器
  • 零件状态:有源
  • 频率:0Hz ~ 20GHz
  • P1dB:17dBm
  • 增益:14dB
  • 噪声系数:4dB
  • 射频类型:VSAT
  • 电压-供电:8V
  • 电流-供电:60mA
  • 测试频率:0 ~ 6GHz
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:32-TFCQFN
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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