HMC382LP3ETR技术参数

制造厂商：ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
类别封装：射频放大器，封装：16-VFQFN
技术参数：IC RF AMP GP 1.7GHZ-2.2GHZ 16QFN
专注销售ADI电子元器件，承诺原装！现货当天发货！
您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

点击下图下载技术文档

HMC382LP3ETR技术参数详情说明：

HMC382LP3ETR是一款由Analog Devices（ADI）设计生产的通用型射频放大器芯片，采用先进的GaAs pHEMT工艺制造，其核心架构旨在为1.7GHz至2.2GHz频段提供高增益、低噪声的信号放大解决方案。该器件集成了高性能的输入输出匹配网络，内部偏置电路设计稳定，确保了在宽频带范围内卓越的线性度和功率效率，其紧凑的16引脚QFN封装（16-VFQFN）非常适合高密度的表面贴装应用。

该芯片在1.8GHz典型测试频率下，能够提供高达17dB的增益，同时保持极低的噪声系数（典型值1dB），这使得它在接收链路前端能有效提升系统灵敏度。其输出1dB压缩点（P1dB）为16dBm，结合5V单电源供电和67mA的静态电流，在提供良好线性输出能力的同时，也兼顾了功耗控制。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ADI代理获取原厂正品和技术支持。

在接口与参数方面，HMC382LP3ETR设计简洁，仅需极少的外部元件即可工作，简化了电路板布局。其工作电压为5V，供电电流典型值为67mA，确保了稳定的工作状态。芯片的射频接口为标准50欧姆匹配，便于系统集成。其优异的性能参数组合，包括高增益、低噪声和良好的线性度，使其成为该频段内一个非常均衡和可靠的选择。

基于其性能特点，该放大器广泛应用于无线通信基础设施，如LTE/4G基站的中频放大、点对点无线电链路、卫星通信终端以及测试测量设备的前端信号调理。它也非常适合用于驱动混频器或作为接收链路的低噪声放大级，在要求高信号完整性和系统动态范围的场景中表现出色。