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HMC272AMS8ETR技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频混频器,封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 技术参数:IC MIXER SGL-BAL 1.7-3GHZ 8-MSOP
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HMC272AMS8ETR技术参数详情说明:

HMC272AMS8ETR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的单平衡混频器芯片,采用单片微波集成电路(MMIC)工艺制造。该芯片的核心架构基于一个高度集成的有源混频器设计,内部集成了射频(RF)巴伦、本振(LO)驱动电路以及中频(IF)输出放大器,实现了从1.7GHz至3GHz宽频带范围内的高性能信号变频。其设计旨在提供卓越的线性度和端口间隔离度,同时通过优化的内部匹配网络,最大限度地减少了外部元件的需求,简化了系统设计。

该器件具备出色的功能特性,其单平衡混频器拓扑结构在提供良好本振至射频隔离的同时,有效抑制了偶次谐波产物。在整个工作频段内,它表现出9dB的典型噪声系数,这对于接收机前端的灵敏度至关重要。作为一款升/降频器,它能灵活应用于上变频(发射链路)或下变频(接收链路)场景。其表面贴装型(SMT)的8-MSOP封装具有紧凑的尺寸(3.00mm宽),非常适合高密度PCB布局,而卷带包装则便于自动化生产装配。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的ADI芯片代理获取该器件及相关技术支持。

在接口与关键参数方面,HMC272AMS8ETR的射频和本振端口内部已进行50欧姆匹配,简化了电路板级设计。虽然具体供电电流和电压值未在通用参数中明确列出,但其典型应用电路通常需要单正电压供电,具体值需参考详细数据手册。其工作频率覆盖1.7GHz至3GHz,满足S波段及部分C波段的通用射频需求。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和稳定的性能使其在仍有库存或特定遗留系统中具备应用价值。

这款混频器的典型应用场景广泛,包括点对点无线电通信、卫星通信终端、微波无线电链路以及测试测量设备中的变频模块。其通用射频类型和宽频带特性使其能够适配多种调制制式,如QPSK、QAM等。在雷达系统、无线基础设施的上下变频单元中,它能提供可靠的频率转换功能。工程师在选择此芯片进行新设计时,需综合考虑其停产状态,并评估替代方案或库存可用性。

  • 制造商产品型号:HMC272AMS8ETR
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC MIXER SGL-BAL 1.7-3GHZ 8-MSOP
  • 系列:射频混频器
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 零件状态:停产
  • 射频类型:通用
  • 频率:1.7GHz ~ 3GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:9dB
  • 辅助属性:升/降频器
  • 电流-供电:-
  • 电压-供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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