

HMC264LC3BTR技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频混频器,封装:12-VFQFN
- 技术参数:IC MIXER SUB-HARMONIC 12SMD
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HMC264LC3BTR技术参数详情说明:
HMC264LC3BTR是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能次谐波(Sub-Harmonic)混频器芯片,采用先进的GaAs(砷化镓)MMIC(单片微波集成电路)工艺制造。该器件专为毫米波频段设计,其核心架构集成了一个平衡的次谐波混频单元,利用本振(LO)信号的二次谐波进行频率变换,从而有效降低了系统对本振源频率和相位噪声的要求。这种设计在维持高线性度的同时,显著简化了高频系统中的本振链路设计复杂度,尤其适用于对成本和性能有严格平衡要求的应用。
该混频器在21GHz至31GHz的射频(RF)频率范围内工作,覆盖了K波段和部分Ka波段,其典型噪声系数为9dB,在次谐波混频器中表现出优异的噪声性能。器件采用单电源供电,工作电压范围为3V至4V,典型供电电流为28mA,整体功耗控制在较低水平,有利于提升系统能效。集成的LO缓冲放大器确保了良好的端口隔离度和稳定的驱动能力,而内部匹配至50欧姆的射频和中频端口则极大简化了外围电路设计,减少了外部匹配元件的需求,有助于实现紧凑的PCB布局。
在接口与参数方面,HMC264LC3BTR采用表面贴装型的12引脚VFQFN封装,兼容卷带(TR)和剪切带(CT)包装,适合高吞吐量的自动化贴装生产。其射频和中频端口均设计为直流耦合,提供了灵活的信号处理能力。稳定的性能表现使其能够在宽温范围内可靠工作,满足工业级应用的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理商获取该器件及相关设计资源。
得益于其宽频带和高性能特性,该芯片非常适合应用于点对点无线通信回传、微波雷达传感器、卫星通信终端以及测试测量设备等场景。在毫米波5G基础设施、汽车雷达和航天电子系统中,它能作为关键的前端下变频组件,将高频信号高效地转换至较低的中频,便于后续的信号采集与处理。其紧凑的封装和简化的应用设计,为开发高频率、高集成度的射频模块提供了可靠的解决方案。
- 制造商产品型号:HMC264LC3BTR
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC MIXER SUB-HARMONIC 12SMD
- 系列:射频混频器
- 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
- 零件状态:有源
- 射频类型:通用
- 频率:21GHz ~ 31GHz
- 混频器数:1
- 增益:-
- 噪声系数:9dB
- 辅助属性:-
- 电流-供电:28mA
- 电压-供电:3V ~ 4V
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:12-VFQFN
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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