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HMC219AMS8TR技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频混频器,封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 技术参数:IC MIXER 4.5-9GHZ UP/DWN 8MSOP
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HMC219AMS8TR技术参数详情说明:

HMC219AMS8TR是ADI(Analog Devices)公司推出的一款高性能单片微波集成电路(MMIC)混频器,采用紧凑的8引脚MSOP封装,专为4.5GHz至9GHz频段的射频系统设计。该器件集成了一个平衡混频器核心,采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,确保了在宽频带范围内优异的线性度和端口间隔离度。其架构优化了信号路径,能够有效处理上变频和下变频任务,为系统设计师提供了一个高度集成且可靠的频率转换解决方案。

该混频器的功能特点突出体现在其宽工作带宽与出色的动态范围上。覆盖4.5GHz至9GHz的射频(RF)和本振(LO)频率范围,使其能够灵活应用于C波段和部分X波段的系统。作为一款升/降频器,它支持双向频率转换。其噪声系数典型值为8.5dB,在同类产品中具备竞争力,有助于维持接收链路的整体灵敏度。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和稳定的性能使其在特定存量或延续性项目中仍具参考价值。

在接口与关键参数方面,HMC219AMS8TR设计为表面贴装型,便于高密度PCB布局。其接口标准,包括射频(RF)、本振(LO)和中频(IF)端口,均内部匹配至50欧姆,简化了外围电路设计。除了已提及的噪声系数,其端口隔离度、转换损耗和输入三阶截点(IIP3)等线性度指标,共同定义了其在强干扰环境下的稳健性能。用户可通过ADI中国代理获取详细的技术文档以进行深入的电路仿真与设计。

在应用场景上,这款混频器非常适合用于点对点无线电通信、卫星通信终端、微波无线电链路以及测试测量设备中的频率转换单元。其宽频带特性尤其适用于需要频段扫描或跳频功能的系统。在雷达前端、电子战(EW)系统的接收通道中,其可靠的性能也能满足严苛的环境要求,是构建高性能射频收发链路的经典组件之一。

  • 制造商产品型号:HMC219AMS8TR
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC MIXER 4.5-9GHZ UP/DWN 8MSOP
  • 系列:射频混频器
  • 包装:卷带(TR)
  • 零件状态:停产
  • 射频类型:通用
  • 频率:4.5GHz ~ 9GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:8.5dB
  • 辅助属性:升/降频器
  • 电流-供电:-
  • 电压-供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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