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HMC187AMS8ETR技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:RF IC和模块,封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 技术参数:IC DOUBLER PASSIVE FREQ 8-MSOP
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HMC187AMS8ETR技术参数详情说明:

HMC187AMS8ETR 是一款由 Analog Devices(ADI)设计生产的无源倍频器芯片,采用紧凑的 8-MSOP 表面贴装封装。该器件基于高度集成的无源混频器架构,内部集成了肖特基二极管桥和优化的巴伦结构,能够在无需外部直流偏置或供电的情况下,实现输入射频信号的高效倍频。其设计重点在于提供出色的线性度和隔离度,同时最大限度地降低谐波杂散输出,确保在倍频过程中信号纯净度得到有效保持。

该芯片的核心功能是将输入频率在 850MHz 至 2GHz 范围内的射频信号进行二倍频处理,输出频率范围相应扩展。它特别针对 HiperLAN 和 UNII 等无线通信频段进行了优化,展现出卓越的转换损耗性能高谐波抑制能力。作为一款无源器件,其工作不依赖于外部电源,这不仅简化了系统设计,还显著提升了整体方案的可靠性并降低了功耗。其宽频带特性使其能够适应多种应用场景下的频率需求,而表面贴装形式则便于集成到高密度 PCB 布局中。

在接口与关键参数方面,HMC187AMS8ETR 采用标准的射频输入与输出端口设计,便于与前后级放大器、滤波器等电路匹配连接。其封装为 8-TSSOP/MSOP,宽度为 3.00mm,适合自动化贴片生产。虽然该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和稳定的性能在特定存量或延续性项目中仍有参考价值。对于需要采购此类经典器件的工程师,通过正规的ADI一级代理商渠道咨询库存或替代方案是推荐做法。

在应用层面,这款倍频器非常适用于需要本地振荡器(LO)倍频链的无线基础设施,例如点对点射频链路、卫星通信上行/下行转换器以及测试测量设备中的频率合成模块。它能够帮助系统在保持主振荡器较低工作频率(以优化相位噪声性能)的同时,生成所需的高频本振信号,从而在系统复杂度、成本和性能之间取得良好平衡。

  • 制造商产品型号:HMC187AMS8ETR
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC DOUBLER PASSIVE FREQ 8-MSOP
  • 系列:RF IC和模块
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 零件状态:停产
  • 功能:倍增器
  • 频率:850MHz ~ 2GHz
  • 射频类型:HiperLAN,UNII
  • 辅助属性:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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