HMC187AMS8E技术参数

制造厂商：ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
类别封装：RF IC和模块，封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
技术参数：IC DOUBLER PASSIVE FREQ 8-MSOP
专注销售ADI电子元器件，承诺原装！现货当天发货！
您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

点击下图下载技术文档

HMC187AMS8E技术参数详情说明：

HMC187AMS8E是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款高性能无源倍频器芯片，采用紧凑的8引脚MSOP封装，专为850MHz至2GHz频段内的射频信号处理而设计。该器件基于无源倍频架构，通过非线性元件实现输入频率的精确倍增，其核心优势在于无需外部直流偏置或供电即可工作，这极大地简化了系统电源设计，并有效降低了整体功耗和热噪声。这种架构确保了在倍频过程中具有出色的相位噪声性能和较高的谐波抑制能力，为系统提供了纯净的二次谐波输出。

该芯片的功能特点突出体现在其宽频带操作与高集成度上。它能够稳定覆盖850MHz至2GHz的输入频率范围，输出频率相应覆盖1.7GHz至4GHz，非常适合需要频率变换的现代无线通信系统。其无源工作特性意味着它本身不产生增益，但插入损耗极低，这有助于维持系统的整体链路预算。此外，芯片内部集成了必要的匹配网络，最大限度地减少了对外部元件的需求，不仅节省了宝贵的PCB空间，也提升了设计的可重复性和生产一致性。

在接口与关键参数方面，HMC187AMS8E采用标准的表面贴装形式，封装为8-TSSOP或8-MSOP。其设计针对HiperLAN和UNII等无线局域网标准进行了优化，确保了在这些特定应用频段内的优异性能。作为一款已停产器件，其在存量市场上的价值依然显著，尤其适合对相位噪声、功耗和板载面积有严格要求的升级或特定设计。对于需要获取此类高性能射频器件的工程师，通过可靠的ADI中国代理进行询价与采购是确保货源正品与技术支持的重要途径。

该倍频器的典型应用场景广泛，主要集中于需要本地振荡器（LO）链频率倍增的无线基础设施和点对点无线电系统中。例如，在微波回程设备、卫星通信上/下变频器以及测试测量仪器中，HMC187AMS8E可用于将较低频率、高性能的VCO或PLL输出倍频至所需的更高频段，从而在维持源信号优良相位噪声特性的同时，简化整个频率合成方案。其紧凑的封装也使其非常适合集成到空间受限的模块化射频前端设计中。