HMC171C8TR技术参数

制造厂商：ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
类别封装：射频混频器，封装：8-CSOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：IC MMIC MIXER DBL-BAL CERAMIC
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HMC171C8TR技术参数详情说明：

HMC171C8TR是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款高性能MMIC（单片微波集成电路）双平衡混频器芯片，采用陶瓷封装，专为7GHz至10GHz频段的射频系统设计。该器件采用成熟的GaAs（砷化镓）工艺制造，集成了肖特基二极管环形混频器核心与宽带巴伦（Balun）结构，实现了从射频（RF）到本振（LO）以及中频（IF）端口之间的出色隔离度。其核心架构确保了在宽频带范围内具有稳定的转换性能，同时紧凑的MMIC设计有效减少了外部元件需求，简化了系统布局与阻抗匹配的复杂度。

该混频器具备9dB的典型噪声系数，在接收链路中能有效维持系统的灵敏度。作为一款双平衡混频器，其显著特点是能够显著抑制本振泄漏和偶次谐波，从而降低了对后级滤波器的要求，并提升了系统的动态范围。它支持升频（上变频）和降频（下变频）两种工作模式，为设计提供了灵活性。其表面贴装型（SMT）的8引脚CSOIC封装，宽度为3.90mm，适合于高密度PCB板布局，而卷带（TR）包装则便于自动化贴片生产，提升制造效率。

在接口与关键参数方面，HMC171C8TR覆盖了7GHz至10GHz的射频与本振输入频率范围，其中频（IF）端口支持DC至较高频率的信号处理。虽然其增益参数未在基础规格中直接标定，但作为无源混频器，其转换损耗是系统链路预算计算的关键考量。该器件无需外部直流偏置，简化了供电设计。对于需要可靠供应链与技术支持的用户，通过正规的ADI授权代理进行采购是确保产品正宗性和获取完整技术资料的重要途径。

鉴于其工作频段与性能特点，此芯片非常适用于点对点无线电、卫星通信终端、军用电子战（EW）系统以及测试测量设备中的射频前端。它能够高效地完成微波频段的频率转换任务，是构建高性能、紧凑型收发信机模块的核心元件之一。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有系统维护和特定设计中，它仍然是一个经过验证的可靠选择。