HMC170C8TR技术参数

制造厂商：ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
类别封装：射频混频器，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：IC MMIC MIXER DBL-BAL CERAMIC
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HMC170C8TR技术参数详情说明：

HMC170C8TR是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款高性能双平衡MMIC（单片微波集成电路）混频器，采用陶瓷封装。该器件专为2.5GHz至4GHz频段的VSAT（甚小孔径终端）等射频应用而设计，其核心架构基于成熟的GaAs（砷化镓）工艺，集成了肖特基二极管环形混频器核心与片上巴伦（Balun）结构。这种集成化设计不仅实现了优异的端口间隔离度，还显著简化了外部匹配电路，为系统设计提供了高可靠性和紧凑的解决方案。

在功能表现上，该混频器作为无源双平衡混频器工作，具备出色的线性度和动态范围。其噪声系数典型值为9dB，在宽频带内能有效抑制本振（LO）和射频（RF）信号的偶次谐波产物，从而降低对后级滤波器的要求。器件采用标准的8引脚SOIC表面贴装封装，便于自动化生产与回流焊工艺集成。虽然该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在特定存量系统或对长期供货有保障的应用场景中仍具参考价值，例如卫星通信上行链路、点对点无线电以及测试测量设备中的频率转换单元。

从接口与参数来看，HMC170C8TR覆盖了C波段部分频段，其双平衡特性确保了射频（RF）、本振（LO）和中频（IF）端口之间具有高隔离度，能有效减少信号串扰。作为无源混频器，它无需外部直流偏置，简化了供电设计。其卷带（TR）包装形式适合大规模表面贴装生产。对于需要此类高性能、已停产器件的设计或维护项目，工程师可通过可靠的ADI中国代理渠道咨询库存或替代方案信息，以确保项目供应链的连续性。