HMC168C8TR技术参数

制造厂商：ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
类别封装：射频混频器，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：IC MMIC MIXER DBL-BAL CERAMIC
专注销售ADI电子元器件，承诺原装！现货当天发货！
您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

点击下图下载技术文档

HMC168C8TR技术参数详情说明：

HMC168C8TR是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能、双平衡MMIC（单片微波集成电路）混频器，采用陶瓷基底的8引脚SOIC封装，专为表面贴装应用而设计。该器件内部集成了匹配良好的肖特基二极管混频核心与宽带巴伦结构，实现了从4.5GHz至8GHz的宽射频（RF）与本地振荡器（LO）输入频率覆盖。其架构确保了在宽频带内具有良好的端口间隔离度与线性度，为复杂的射频信号链提供了一个高度集成的解决方案。

该混频器的核心功能是实现信号的频率转换，支持上变频和下变频操作。其双平衡设计有效抑制了LO馈通和偶次谐波产物，显著改善了频谱纯度。在典型工作条件下，噪声系数为8.2dB，这对于在接收链路前端维持系统灵敏度至关重要。尽管该器件不提供转换增益（增益参数为“-”），但其低变频损耗特性与高线性度相结合，使其能够在保持信号完整性的同时完成频率变换任务。

在接口与电气参数方面，HMC168C8TR设计简洁，通常需要外部提供LO驱动信号，其RF和LO端口内部已进行50欧姆匹配，简化了电路板布局设计。其表面贴装型的8-SOIC封装（3.90mm宽）兼容标准的回流焊工艺，便于高密度集成。用户可通过ADI中国代理获取详细的应用笔记和设计支持，以优化其在本振驱动电平、偏置等方面的具体应用。需要注意的是，此型号目前已处于停产状态，在全新设计中需考虑替代方案或库存获取。

得益于其宽频带和稳健的性能，该芯片非常适合应用于点对点无线电、卫星通信、微波中继以及测试测量设备中的射频单元。在4.5GHz至8GHz频段内，它能够可靠地服务于需要高隔离度和良好线性度的变频器模块，是构建高性能微波收发系统的关键组件之一。