

HMC168C8技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频混频器,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:IC MMIC MIXER DBL-BAL CERAMIC
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HMC168C8技术参数详情说明:
HMC168C8是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的宽带、双平衡MMIC(单片微波集成电路)混频器,采用陶瓷封装,专为高性能射频系统设计。该器件采用成熟的GaAs(砷化镓)工艺制造,其核心架构集成了肖特基二极管环形混频器与片上巴伦(Balun)结构,实现了从射频(RF)端口到本振(LO)端口以及中频(IF)端口之间的高效信号转换与隔离。这种集成化设计不仅简化了外部匹配电路,还确保了在宽频带范围内具备稳定的电气性能,为系统集成提供了便利。
该混频器在4.5GHz至8GHz的宽频范围内工作,覆盖了C波段及部分X波段的常用频率,使其具备出色的通用性。作为一款双平衡混频器,其关键特性在于能够有效抑制本振信号的馈通以及偶次谐波产物,从而显著改善端口间的隔离度,并降低对输出滤波器的要求。其标称噪声系数为8.2dB,在同类宽带混频器中属于优秀水平,有助于维持接收链路的整体灵敏度。器件支持升频(上变频)和降频(下变频)两种工作模式,为收发信机设计提供了灵活性。
在接口与参数方面,HMC168C8采用表面贴装型(SMT)的8引脚SOIC封装,便于自动化生产与高密度PCB布局。其设计无需外部偏置,简化了供电设计。虽然该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定存量系统或对长期供货有保障的场合中仍有应用价值。对于需要采购或寻求替代方案的工程师,通过正规的ADI授权代理渠道获取技术支持和库存信息至关重要。
该芯片典型的应用场景包括点对点微波通信、卫星通信终端、军用电子战(EW)系统、测试测量设备以及雷达系统的射频前端。其宽频带特性使其能够适应多频段或多模式系统,而双平衡结构带来的高线性度和良好隔离度,则使其在存在强干扰信号的复杂电磁环境中表现出色,是构建高动态范围、高可靠性射频链路的优选器件之一。
- 制造商产品型号:HMC168C8
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC MMIC MIXER DBL-BAL CERAMIC
- 系列:射频混频器
- 包装:带
- 零件状态:停产
- 射频类型:通用
- 频率:4.5GHz ~ 8GHz
- 混频器数:1
- 增益:-
- 噪声系数:8.2dB
- 辅助属性:升/降频器
- 电流-供电:-
- 电压-供电:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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