HMC158C8TR技术参数

制造厂商：ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
类别封装：RF IC和模块，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：IC FREQ DOUBLER 5.5-8.2GHZ CER
专注销售ADI电子元器件，承诺原装！现货当天发货！
您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

点击下图下载技术文档

HMC158C8TR技术参数详情说明：

HMC158C8TR是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款高性能、表面贴装型射频频率倍频器芯片，采用紧凑的8引脚SOIC封装。该器件设计用于将输入频率精确地倍增一倍，其核心架构基于优化的非线性有源电路，能够在宽泛的输入频率范围内实现高效的二次谐波生成，同时有效抑制基波和其他杂散分量，确保输出信号的频谱纯度。

该芯片的功能特点突出，其工作频率范围覆盖1.3GHz至4GHz的输入频段，经过倍频后，输出频率范围可达5.5GHz至8.2GHz，使其成为处理C波段和部分X波段信号的理想选择。高转换增益和出色的谐波抑制能力是其关键特性，这得益于内部集成的平衡放大器与滤波结构，能够在宽频带内提供稳定的性能。此外，其单电源供电设计简化了系统集成，而表面贴装形式则便于自动化生产，提升装配效率与可靠性。

在接口与参数方面，HMC158C8TR作为一款射频IC，其典型应用需要匹配50欧姆的输入输出阻抗。其封装为8-SOIC，宽度为3.90mm，适合高密度PCB布局。虽然该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和验证过的性能参数，使其在特定存量项目或替代方案设计中仍具参考价值。对于需要获取此类已停产器件的工程师，通过可靠的ADI代理商咨询库存或替代产品信息是常见的途径。

该芯片典型的应用场景包括卫星通信系统中的直接广播卫星（DBS）接收前端和甚小孔径终端（VSAT）的上下变频链路。在这些系统中，它能够高效地将中频信号倍频至所需的本振或发射频率，有助于简化本地振荡器链设计，减少系统中所需的有源器件数量，从而在提升系统整体性能的同时，优化成本与功耗。其稳健的设计也使其适用于测试测量设备中的信号生成模块。