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HMC1166LP5E技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:VCO(压控振荡器),封装:32-VFQFN,CSP
  • 技术参数:VCO 6.0075GHZ/12.015GHZ 2-13V
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HMC1166LP5E技术参数详情说明:

HMC1166LP5E是ADI公司推出的一款高性能、双频段压控振荡器(VCO)芯片,采用先进的GaAs HBT工艺制造,专为要求苛刻的微波通信和测试设备应用而设计。该器件集成了振荡器核心、谐振电路和输出缓冲放大器于一个紧凑的封装内,其核心架构旨在提供从基波到二次谐波的直接、低噪声频率输出,从而简化了系统设计,减少了对外部倍频器的需求。

该芯片的核心优势在于其覆盖了两个宽频段:5.705 GHz至6.31 GHz的基波频段和11.41 GHz至12.62 GHz的二次谐波频段,中心频率分别为6.0075 GHz和12.015 GHz。这种双频段输出能力使其能够灵活适配不同频段的系统需求。优异的相位噪声性能是其关键特性之一,在典型工作条件下,其相位噪声低至-89 dBc/Hz,这对于维持通信链路的信号完整性和高数据吞吐量至关重要。同时,其输出功率在基波和二次谐波下分别达到4.5 dBm±4.5和11 dBm±4,提供了良好的驱动能力。

在接口与控制方面,HMC1166LP5E采用2V至13V的宽范围调谐电压(VDC)来控制输出频率,调谐灵敏度(推移)典型值为5 MHz/V,提供了精确的频率控制。器件采用单5V电源供电,最大工作电流为270mA。其封装为32引脚、5mm x 5mm的VFQFN(CSP)形式,具有优异的热性能和紧凑的占板面积,适合高密度PCB布局。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的ADI芯片代理获取该产品及相关技术支持。

凭借其宽频段、低相位噪声和稳定的功率输出特性,HMC1166LP5E非常适用于点对点/点对多点无线电、卫星通信上行/下行链路、军用电子战(EW)系统、测试与测量仪器以及微波传感器等应用场景。其宽工作温度范围(-40°C至85°C)也确保了在严苛环境下的可靠运行。

  • 制造商产品型号:HMC1166LP5E
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:VCO 6.0075GHZ/12.015GHZ 2-13V
  • 系列:VCO(压控振荡器)
  • 产品系列:HMC1166
  • 零件状态:有源
  • 频率范围:5.705 ~ 6.31GHz,11.41 ~ 12.62GHz
  • 频率-中心:6.0075GHz,12.015GHz
  • 电压-供电:5V
  • 调谐电压(VDC):2V ~ 13V
  • 二次谐波,典型值(dBc):20
  • 最大Icc:270mA
  • 推移(MHz/V):5
  • 功率(dBm):4.5±4.5,11±4
  • 典型相位噪声(dBc/Hz):-89
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装:32-VFQFN,CSP
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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