HMC1162LP5ETR技术参数

作为一款高性能的压控振荡器（VCO），HMC1162LP5ETR采用了先进的GaAs HBT MMIC工艺进行设计，其核心架构集成了振荡器核心、缓冲放大器和倍频器于一个紧凑的芯片内。这种高度集成的设计不仅确保了信号的纯净度与稳定性，还通过内部倍频功能，实现了从基波4.8375GHz到二次谐波9.675GHz的频率覆盖，为系统设计提供了极大的灵活性。芯片内部优化的电路布局有效抑制了寄生参数，为低相位噪声和高输出功率性能奠定了坚实基础。

该器件在宽频带范围内展现出卓越的电气性能。其频率调谐范围覆盖4.625GHz至5.050GHz（基波）以及9.25GHz至10.10GHz（二次谐波），仅需2V至13V的调谐电压即可实现精确的频率控制，调谐灵敏度（推移）典型值为6MHz/V，线性度良好。在输出性能方面，HMC1162LP5ETR能够提供高达7.5dBm（基波）和11dBm（二次谐波）的输出功率，且具有出色的相位噪声特性，在100kHz偏移处典型值为-110dBc/Hz，这对于要求严格的通信和雷达系统的本振源至关重要。其二次谐波抑制典型值为14dBc，有助于减少系统内的杂散信号。

在接口与工作参数上，该VCO采用单电源5V供电，最大工作电流为310mA。它被封装在5mm x 5mm的32引脚QFN（VFQFN-CSP）封装中，这种表贴封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，非常适合高密度集成。器件的工作温度范围宽达-40°C至85°C，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过正规的ADI授权代理进行采购是保障产品正品与供应链安全的关键。

凭借其宽频带、高输出功率和低相位噪声的综合优势，HMC1162LP5ETR非常适合应用于点对点及点对多点无线电、军用电子战（EW）系统、卫星通信终端、测试测量仪器以及雷达系统的本地振荡器（LO）链中。其集成的倍频输出功能可以简化射频前端架构，减少外部元件数量，从而帮助系统设计师实现更小型化、更高性能的解决方案。

• 制造商产品型号：HMC1162LP5ETR
• 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
• 描述：VCO 4.8375/9.675GHZ 2-13V 5X5MM
• 系列：VCO（压控振荡器）
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• 频率范围：4.625 ~ 5.050GHz，9.25 ~ 10.10GHz
• 频率-中心：4.8375GHz，9.675GHz
• 电压-供电：5V
• 调谐电压(VDC)：2V ~ 13V
• 二次谐波，典型值（dBc）：14
• 最大Icc：310mA
• 推移（MHz/V）：6
• 功率(dBm)：7.5±4.5，11±4
• 典型相位噪声(dBc/Hz)：-110
• 工作温度：-40°C ~ 85°C
• 封装：32-VFQFN，CSP
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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