HMC1160LP5ETR技术参数

HMC1160LP5ETR是ADI（Analog Devices）公司推出的一款高性能宽带压控振荡器（VCO），采用先进的GaAs HBT工艺制造，集成了谐振电路、变容二极管和输出缓冲放大器于单一芯片。其核心架构设计旨在实现低相位噪声和高调谐线性度，内部集成的倍频器使其能够覆盖两个独立的宽频带，从而在单一器件内提供了相当于两个VCO的频率覆盖范围，显著简化了系统设计并节省了板级空间。

该器件在4.225 GHz至4.65 GHz以及8.45 GHz至9.30 GHz两个频段内提供卓越的射频性能。典型相位噪声低至-110 dBc/Hz @ 100 kHz偏移，确保了在通信和测试设备中对信号纯净度的苛刻要求。其输出功率在基波和二次谐波模式下分别典型为4 dBm和13 dBm，且具有±4 dB的容差，为后续混频或放大级提供了稳定的驱动。调谐电压范围宽达2V至13V，调谐灵敏度（推移）典型值为5.5 MHz/V，提供了良好的频率控制线性度。二次谐波抑制典型值为18 dBc，有助于减少不必要的杂散信号。

HMC1160LP5ETR采用紧凑的5mm x 5mm、32引脚QFN封装，非常适合高密度PCB布局。其供电电压为单5V，最大工作电流为325mA，在-40°C至+85°C的扩展工业温度范围内保证性能稳定。这种高集成度和鲁棒性使其能够适应各种严苛的环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过专业的ADI芯片代理获取该器件及相关设计资源。

基于其宽频带、低相位噪声和高输出功率的特性，该VCO非常适合应用于点对点及点对多点无线电、军用电子战（EW）系统、卫星通信终端、测试与测量设备以及工业、科学和医疗（ISM）频段设备。其双频带输出能力尤其适用于需要频率捷变或宽带扫描的应用场景，是构建高性能射频前端和本振（LO）链路的理想选择。

• 制造商产品型号：HMC1160LP5ETR
• 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
• 描述：VCO 4.4375/8.875GHZ 2-13V 5X5MM
• 系列：VCO（压控振荡器）
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• 频率范围：4.225 ~ 4.65GHz，8.45 ~ 9.30GHz
• 频率-中心：4.4375GHz，8.875GHz
• 电压-供电：5V
• 调谐电压(VDC)：2V ~ 13V
• 二次谐波，典型值（dBc）：18
• 最大Icc：325mA
• 推移（MHz/V）：5.5
• 功率(dBm)：4±4，13±4
• 典型相位噪声(dBc/Hz)：-110
• 工作温度：-40°C ~ 85°C
• 封装：32-VFQFN，CSP
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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