HMC1048LC3BTR-R5技术参数

制造厂商：ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
类别封装：射频混频器，封装：12-VFCQFN
技术参数：IC MIXER DBL BALANCED 12SMD
专注销售ADI电子元器件，承诺原装！现货当天发货！
您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

点击下图下载技术文档

HMC1048LC3BTR-R5技术参数详情说明：

作为一款高性能射频混频器，HMC1048LC3BTR-R5采用了双平衡混频器架构，该架构通过对称的二极管环或FET开关核心，能够有效抑制本振（LO）端口到射频（RF）和中频（IF）端口的信号泄漏，从而显著提升端口间的隔离度。其内部集成了宽带巴伦和匹配网络，确保了在宽频带范围内具有良好的端口驻波比和阻抗匹配特性，减少了外部调谐元件的需求，简化了电路板设计。芯片采用先进的GaAs工艺制造，提供了优异的线性度和动态范围，使其在苛刻的微波环境下仍能保持稳定的性能。

该器件的工作频率覆盖2GHz至18GHz的极宽范围，这使其能够灵活应用于C、X、Ku乃至部分K波段的系统。其核心特性在于提供了高达23dB的转换增益，这一高增益值能够有效补偿后续链路损耗，降低了对中频放大器增益的要求，有助于简化接收机前端的整体设计并优化系统噪声系数。作为一款无源混频器（基于二极管环形结构），它通常不需要外部直流偏置，简化了供电设计。其表面贴装型的12-VFCQFN封装具有优异的热性能和紧凑的尺寸，非常适合高密度集成的微波模块。

在接口与关键参数方面，该混频器设计为双平衡结构，具备标准的射频（RF）、本振（LO）和中频（IF）三个端口。其宽频带特性意味着在指定频率范围内，用户无需为不同频点重新设计匹配电路，极大地提升了设计复用性和灵活性。尽管具体噪声系数、工作电流和电压参数未在基础描述中明确列出，但其高转换增益和宽频带特性本身就是其在低噪声接收前端或上变频链路中的关键优势。用户可通过ADI中国代理获取更详细的数据手册和应用笔记以进行精确的链路预算计算。

基于其2GHz至18GHz的宽频带和VSAT（甚小孔径终端）的射频类型标签，HMC1048LC3BTR-R5非常适用于卫星通信系统，包括卫星上行/下行变频器、VSAT调制解调器的射频单元以及点对点微波无线电。此外，其宽频带性能也使其成为测试测量设备的理想选择，例如可用于频谱分析仪或矢量网络分析仪的宽带前端下变频。在雷达和电子战（EW）系统中，该器件可用于宽带侦察接收机或频率敏捷发射机的上变频链路。需要注意的是，该产品状态已标注为停产，在新设计中选择时需考虑供应链的长期可获得性，或寻找ADI推荐的替代型号。