

HMC1048ALC3BTR技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频混频器,封装:12-CLCC
- 技术参数:IC MIXER DBL BALANCED 12SMD
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HMC1048ALC3BTR技术参数详情说明:
HMC1048ALC3BTR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能、双平衡混频器芯片,采用紧凑的12引脚CLCC表面贴装封装,专为覆盖2GHz至18GHz的极宽频带应用而优化。其核心架构基于成熟的GaAs(砷化镓)肖特基二极管技术,结合精密的巴伦(Balun)结构设计,实现了从射频(RF)到中频(IF)的高线性度频率转换。这种架构确保了在整个工作频段内,本振(LO)到射频以及本振到中频端口之间具有出色的隔离度,有效抑制了本振信号的泄漏,从而简化了系统设计中对滤波器的要求。
该器件的一个显著功能特点是其双平衡设计,这使其能够同时抑制偶次谐波产物,并显著降低本振引入的调幅噪声,从而提升整体系统的动态范围。作为一款无源混频器,它无需外部直流偏置,简化了供电设计。其转换损耗典型值在整个频段内保持优异且平坦,同时提供了卓越的输入三阶截点(IP3)性能,这对于处理高功率或存在强干扰信号的场景至关重要,能够最大程度地减少互调失真对有用信号的影响。用户可以通过ADI授权代理获取完整的设计支持与样品。
在接口与关键参数方面,HMC1048ALC3BTR提供了标准化的射频(RF)、本振(LO)和中频(IF)三个端口,所有端口均内部匹配至50欧姆,便于集成到微波传输线中。其工作频率范围覆盖2GHz至18GHz,适用于C、X、Ku乃至部分K波段的应用。该芯片采用表面贴装型(SMT)12-CLCC封装,适合自动化贴片生产,并且提供卷带(TR)包装,满足高效率的批量制造需求。其稳健的设计确保了在宽温范围内的可靠性能。
得益于其宽频带、高线性度和卓越的端口隔离特性,这款混频器非常适合应用于对性能要求苛刻的领域。在卫星通信(VSAT)系统中,它可用于上变频或下变频链路;在军用电子战和雷达系统中,其宽频带特性支持频率捷变和宽带侦察接收;此外,在点对点微波无线电、测试与测量设备以及航空航天电子系统中,它也是实现高性能频率转换的核心组件。其无源工作的特性也使其在低功耗或分布式系统中具有优势。
- 制造商产品型号:HMC1048ALC3BTR
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC MIXER DBL BALANCED 12SMD
- 系列:射频混频器
- 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
- 零件状态:有源
- 射频类型:VSAT
- 频率:2GHz ~ 18GHz
- 混频器数:1
- 增益:-
- 噪声系数:-
- 辅助属性:-
- 电流-供电:-
- 电压-供电:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:12-CLCC
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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