

HMC-C200-8075技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:RF IC和模块,封装:模块,SMA 连接器
- 技术参数:RF DRO MODULE ML-5-3
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HMC-C200-8075技术参数详情说明:
HMC-C200-8075是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能射频模块,属于其专业的RF IC和模块产品线。该模块采用连接器安装形式,核心是一个工作在8GHz至8.3GHz频段的介质谐振振荡器(DRO),其设计旨在为微波系统提供稳定、低相噪的本地振荡源。模块化的封装集成了振荡电路、稳压以及必要的匹配网络,通过标准的SMA连接器进行射频信号的输入输出,极大简化了系统集成与调试的复杂性。
该器件的核心架构围绕一个高Q值的介质谐振腔构建,这确保了其卓越的频率稳定性和极低的相位噪声性能。模块内部集成了温度补偿或恒温控制电路(具体取决于版本),以应对环境温度变化对输出频率的影响,从而在宽温范围内保持稳定的振荡特性。其通用射频类型设计使其能够灵活适配多种电路环境,而SMA连接器的采用则保证了在高达8.3GHz的频率下仍能实现良好的阻抗匹配和较低的插入损耗。
在功能与参数方面,HMC-C200-8075提供了精确覆盖8GHz至8.3GHz的射频输出。其模块化设计意味着用户无需再进行复杂的微波电路布局与调试,即可获得一个即插即用的高稳定性信号源。该模块通常采用散装形式提供,适合批量生产应用。对于需要可靠射频源的设计,通过专业的ADI芯片代理进行采购,可以确保获得正品货源与全面的技术支持。其“最後”的零件状态提示该型号可能已进入生命周期末期,在涉及长期供应的新项目选型时需予以关注。
在应用场景上,这款DRO模块非常适合用于点对点无线电通信、微波雷达系统、卫星通信上行/下行变频器以及各种测试测量设备中,作为本振或时钟恢复单元。其紧凑的模块化封装和连接器安装方式,使其能够便捷地集成到射频子系统或测试夹具中,加速产品开发周期,是工程师在X波段寻求高性价比、高可靠性频率解决方案时的理想选择之一。
- 制造商产品型号:HMC-C200-8075
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:RF DRO MODULE ML-5-3
- 系列:RF IC和模块
- 包装:散装
- 零件状态:最後
- 功能:DRO
- 频率:8GHz ~ 8.3GHz
- 射频类型:通用
- 辅助属性:SMA 连接器
- 安装类型:连接器安装
- 封装:模块,SMA 连接器
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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