

ADUM5230ARWZ技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 - 栅极驱动器,封装:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 技术参数:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
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ADUM5230ARWZ技术参数详情说明:
ADUM5230ARWZ是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款基于其先进iCoupler技术的双通道隔离式栅极驱动器。该器件采用磁耦合隔离技术,在单芯片上集成了信号隔离与功率驱动功能,其核心架构通过微型变压器实现了高达2500Vrms的电气隔离,确保了高压侧与低压侧之间信号的可靠传输,同时避免了光耦器件常见的老化、温度漂移和低带宽问题。这种集成化设计不仅简化了系统布局,还显著提升了整体方案的可靠性与长期稳定性。
该器件具备卓越的性能特性,其共模瞬变抗扰度(CMTI)高达25kV/s,使其在功率开关管(如IGBT或MOSFET)高速开关产生的严苛噪声环境下,能够保持稳定输出,有效防止误触发。最大传播延迟仅为100ns,且脉宽失真(PWD)被控制在8ns以内,这为需要精确时序控制的应用,如电机驱动和逆变器,提供了关键保障。同时,其典型上升/下降时间分别为25ns和10ns,确保了栅极驱动信号的陡峭边沿,有助于降低开关损耗。其输出侧供电电压范围为12V至18.5V,可直接驱动大多数中高压功率器件。
在接口与参数方面,ADUM5230ARWZ采用标准的16引脚SOIC宽体封装,便于表面贴装生产。其工作温度范围覆盖-40°C至105°C,满足工业级应用的严苛环境要求。该器件属于有源产品系列,设计用于长期稳定供应。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ADI芯片代理获取原厂正品和技术支持。
该芯片的典型应用场景广泛,尤其适用于需要高电压隔离和快速响应的领域。它是工业电机驱动、伺服控制系统、光伏逆变器、不间断电源(UPS)以及充电桩模块中栅极驱动电路的理想选择。其高隔离电压和优异的抗干扰能力,使其能够安全、可靠地隔离微控制器(低压侧)与功率变换电路(高压侧),在提升系统功率密度和效率的同时,保障了操作人员与设备的安全。
- 制造商产品型号:ADUM5230ARWZ
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
- 系列:隔离器 - 栅极驱动器
- 产品系列:iCoupler
- 零件状态:有源
- 技术:磁耦合
- 通道数:2
- 电压-隔离:2500Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):25kV/s
- 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):100ns,100ns
- 脉宽失真(最大):8ns
- 上升/下降时间(典型值):25ns,10ns(最大)
- 电流-输出高、低:-
- 电流-峰值输出:-
- 电压-正向(Vf)(典型值):-
- 电流-DC正向(If)(最大值):-
- 电压-输出供电:12V ~ 18.5V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:16-SOIC
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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