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ADUM4223WBRWZ-RL技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:隔离器 - 栅极驱动器,封装:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 技术参数:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
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ADUM4223WBRWZ-RL技术参数详情说明:

ADUM4223WBRWZ-RL是一款基于亚德诺半导体(Analog Devices)专有iCoupler磁隔离技术的双通道隔离式栅极驱动器。该器件采用磁耦合技术,通过片上微型变压器传输信号,实现了输入侧与两个独立输出侧之间高达5000Vrms的电气隔离,有效阻断了高共模电压、地电位差及噪声干扰,为功率开关器件提供了安全、可靠的驱动接口。其核心架构集成了两个独立的隔离通道,每个通道均具备信号调理、隔离传输及强大的输出驱动级,确保了信号的完整性与驱动的强劲性。

该器件具备卓越的性能特性。高达50kV/s的共模瞬变抗扰度(CMTI)使其在功率开关快速切换产生的高频噪声环境下,能够保持稳定工作,有效防止误触发。极低的传播延迟(最大值54ns)与匹配的上升/下降时间(典型值12ns),结合极低的脉宽失真,确保了驱动信号的精确时序,这对于高频开关应用至关重要,有助于提升系统效率并降低开关损耗。其输出级能够提供高达4A的峰值拉/灌电流,可直接驱动IGBT、MOSFET等功率半导体,实现快速开通与关断,减少开关过程中的功率损耗。

在接口与参数方面,该器件采用16引脚SOIC宽体封装,支持表面贴装,便于集成。其输出侧供电电压范围宽达7.5V至18V,为不同电压等级的功率器件提供了灵活的偏置选择。工作温度范围覆盖-40°C至125°C,完全满足汽车级(Automotive)应用的严苛环境要求,确保了在高温、高振动等恶劣条件下的长期可靠性。对于需要确保元器件来源与品质保障的系统集成商,通过正规的ADI授权代理进行采购是推荐的选择。

凭借其高隔离能力、快速响应和强大的驱动性能,ADUM4223WBRWZ-RL广泛应用于需要高可靠性与安全性的领域。在工业自动化中,它常用于电机驱动、变频器、伺服控制系统中的IGBT驱动隔离;在新能源领域,是光伏逆变器、储能变流器、车载充电机(OBC)中功率模块驱动的关键组件;同时,其汽车级认证使其非常适合应用于电动汽车的主驱逆变器、DC-DC转换器等高压电控单元,确保动力系统在高压环境下的安全、高效运行。

  • 制造商产品型号:ADUM4223WBRWZ-RL
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
  • 系列:隔离器 - 栅极驱动器
  • 产品系列:Automotive
  • 零件状态:有源
  • 技术:磁耦合
  • 通道数:2
  • 电压-隔离:5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值):50kV/s
  • 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):54ns,54ns
  • 脉宽失真(最大):-
  • 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
  • 电流-输出高、低:-
  • 电流-峰值输出:4A
  • 电压-正向(Vf)(典型值):-
  • 电流-DC正向(If)(最大值):-
  • 电压-输出供电:7.5V ~ 18V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:16-SOIC
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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