

ADUM4135BRWZ技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 - 栅极驱动器,封装:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 技术参数:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC
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ADUM4135BRWZ技术参数详情说明:
作为一款高性能的单通道隔离式栅极驱动器,ADUM4135BRWZ采用了ADI公司先进的iCoupler磁隔离技术。其核心架构通过集成片上微变压器实现信号与电源的隔离,这种设计不仅确保了高集成度,还提供了卓越的抗噪性能和可靠性。芯片内部集成了去饱和(DESAT)故障检测、有源米勒钳位以及软关断等保护功能,这些功能模块协同工作,为功率开关器件(如IGBT和SiC MOSFET)提供了安全、高效的控制与保护方案。
该器件具备高达5000Vrms的隔离电压和超过100kV/μs的共模瞬变抗扰度(CMTI),使其在高压、高噪声的工业环境中能够稳定工作,有效防止误触发。其传播延迟典型值低至66ns,且上升/下降时间仅为16ns,确保了精准的开关时序控制,这对于提升系统效率、降低开关损耗至关重要。输出侧提供高达4A的峰值驱动电流,能够快速对功率器件的栅极电容进行充放电,优化开关性能。
在接口与参数方面,ADUM4135BRWZ采用单通道设计,输入侧兼容宽范围逻辑电平,输出侧供电电压范围为12V至30V,适用于多种栅极驱动需求。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C,采用16引脚SOIC宽体封装,满足工业级应用的严苛要求。对于需要可靠供应链保障的客户,建议通过官方ADI授权代理进行采购,以确保产品正品与技术支持。
该芯片主要面向要求高可靠性与高性能的功率转换应用场景。它非常适用于太阳能逆变器、工业电机驱动、不间断电源(UPS)以及电动汽车充电桩等系统。在这些应用中,ADUM4135BRWZ不仅能提供强大的栅极驱动能力,其集成的先进保护特性更能有效防止功率器件因过流、短路或米勒效应引起的失效,从而显著提升整个电力电子系统的鲁棒性和长期运行稳定性。
- 制造商产品型号:ADUM4135BRWZ
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC
- 系列:隔离器 - 栅极驱动器
- 产品系列:iCoupler
- 零件状态:有源
- 技术:磁耦合
- 通道数:1
- 电压-隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):100kV/s
- 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):66ns,66ns
- 脉宽失真(最大):-
- 上升/下降时间(典型值):16ns,16ns
- 电流-输出高、低:-
- 电流-峰值输出:4A
- 电压-正向(Vf)(典型值):-
- 电流-DC正向(If)(最大值):-
- 电压-输出供电:12V ~ 30V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:16-SOIC
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为ADI代理商的战略合作伙伴,我们长期提供ADUM4135BRWZ现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
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