

ADUM4121-1CRIZ-RL技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 - 栅极驱动器,封装:8-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 技术参数:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8SOIC
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ADUM4121-1CRIZ-RL技术参数详情说明:
作为一款高性能的隔离式栅极驱动器,ADUM4121-1CRIZ-RL采用了ADI公司先进的iCoupler磁隔离技术。其核心架构通过片上变压器实现信号与能量的传输,在单芯片内集成了信号隔离与功率驱动功能,无需外部光耦或分立式隔离电源,从而简化了系统设计并提升了可靠性。该架构能够实现高达5000Vrms的电气隔离,有效阻断高压侧与低压侧之间的危险电位差,为人员和设备提供安全保障。
该器件具备卓越的动态性能,其传播延迟最大值分别为42ns(tpLH)和53ns(tpHL),脉宽失真最大仅为13ns,而典型的上升与下降时间均为18ns。这些特性确保了精确的开关时序控制,对于要求严苛的功率开关应用至关重要。同时,其高达150kV/s的最小共模瞬变抗扰度(CMTI)使其在功率器件快速开关产生的高噪声环境下依然能稳定工作,避免误触发。输出级能够提供高达2.3A的峰值拉/灌电流,可直接驱动中高功率的MOSFET或IGBT,确保开关管的快速导通与关断,降低开关损耗。
在接口与工作参数方面,该芯片采用单通道设计,输出侧供电电压范围宽达11.6V至35V,兼容多种栅极驱动电压需求。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C的工业级标准,采用表面贴装型的8引脚SOIC封装,便于集成到紧凑的PCB布局中。这些参数共同定义了一个坚固、灵活且易于使用的驱动解决方案。对于需要可靠货源和技术支持的工程师,可以通过正规的ADI中国代理获取该产品及相关设计资源。
基于其强大的隔离与驱动能力,ADUM4121-1CRIZ-RL非常适合应用于工业自动化、电机驱动、光伏逆变器、不间断电源(UPS)以及充电桩等场景。在这些系统中,它能够安全、高效地驱动功率开关管,实现主控制器(低压侧)与功率级(高压侧)之间的可靠信号连接,是构建高性能、高安全性功率转换系统的关键组件。
- 制造商产品型号:ADUM4121-1CRIZ-RL
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8SOIC
- 系列:隔离器 - 栅极驱动器
- 产品系列:iCoupler
- 零件状态:有源
- 技术:磁耦合
- 通道数:1
- 电压-隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):150kV/s
- 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):42ns,53ns
- 脉宽失真(最大):13ns
- 上升/下降时间(典型值):18ns,18ns
- 电流-输出高、低:-
- 电流-峰值输出:2.3A
- 电压-正向(Vf)(典型值):-
- 电流-DC正向(If)(最大值):-
- 电压-输出供电:11.6V ~ 35V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC-IC
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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