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ADUM4120CRIZ技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:隔离器 - 栅极驱动器,封装:6-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 技术参数:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SOIC
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ADUM4120CRIZ技术参数详情说明:

ADUM4120CRIZ是一款基于ADI公司iCoupler技术的单通道隔离式栅极驱动器,采用磁耦合原理实现信号与功率的隔离传输。该器件集成了ADI专有的芯片级变压器技术,在单颗芯片内构建了完整的信号隔离通道与输出驱动级,其核心架构摒弃了传统光耦方案中需要LED和光电二极管的光电转换环节,从而在根本上提升了可靠性、时序性能和长期稳定性。这种架构使得器件能够在高噪声的工业环境中,提供精确、快速且稳定的栅极驱动信号。

该器件具备多项突出的功能特性。其隔离能力高达5000Vrms,为高压侧与低压侧控制电路之间提供了坚固的电气隔离屏障。更关键的是,其共模瞬变抗扰度(CMTI)最小值达到150kV/s,这意味着在功率开关管(如IGBT或SiC MOSFET)快速导通和关断产生的高dv/dt噪声环境下,驱动器输出能够保持稳定,有效防止误触发,保障系统安全。其输出级可提供2.3A的峰值拉/灌电流,能够快速对功率器件的栅极电容进行充放电,从而减少开关损耗,提升系统效率。

在接口与电气参数方面,ADUM4120CRIZ表现出优异的动态性能。其传播延迟典型值低,最大tpLH/tpHL分别为69ns和79ns,而脉宽失真(PWD)最大仅为16.5ns,这对于需要精确控制死区时间、实现高效率的桥式拓扑(如半桥、全桥)至关重要。其输出侧供电电压范围宽达11.6V至35V,能够灵活适配多种功率器件的栅极驱动电压需求。器件采用标准的6引脚SOIC封装,支持表面贴装,工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至125°C,确保了在严苛环境下的可靠运行。用户可以通过正规的ADI代理获取完整的技术资料与设计支持。

凭借其高性能与高可靠性,ADUM4120CRIZ广泛应用于需要安全隔离和强驱动能力的场景。它是电机驱动、光伏逆变器、不间断电源(UPS)以及服务器电源中IGBT或SiC/GaN MOSFET驱动的理想选择。在工业自动化、新能源发电及电动汽车充电桩等系统中,该器件能有效隔离高压功率回路与低压控制回路,同时提供快速、强劲的栅极驱动,是实现高功率密度、高能效和系统长期稳定运行的关键组件。

  • 制造商产品型号:ADUM4120CRIZ
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SOIC
  • 系列:隔离器 - 栅极驱动器
  • 产品系列:iCoupler
  • 零件状态:有源
  • 技术:磁耦合
  • 通道数:1
  • 电压-隔离:5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值):150kV/s
  • 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):69ns,79ns
  • 脉宽失真(最大):16.5ns
  • 上升/下降时间(典型值):18ns,18ns
  • 电流-输出高、低:-
  • 电流-峰值输出:2.3A
  • 电压-正向(Vf)(典型值):-
  • 电流-DC正向(If)(最大值):-
  • 电压-输出供电:11.6V ~ 35V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:6-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:6-SOIC-IC
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为ADI代理商的战略合作伙伴,我们长期提供ADUM4120CRIZ现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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