

ADUM4120-1ARIZ-RL技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 - 栅极驱动器,封装:6-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 技术参数:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SOIC
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ADUM4120-1ARIZ-RL技术参数详情说明:
ADUM4120-1ARIZ-RL是一款基于ADI公司iCoupler技术的单通道隔离式栅极驱动器。该器件采用先进的磁耦合隔离架构,在单个芯片内集成了信号传输所需的隔离层与功率输出级,实现了输入侧逻辑信号与输出侧高压功率域之间的5000Vrms电气隔离。这种架构不仅确保了高电压下的安全性与可靠性,其磁耦合技术还提供了优异的抗干扰能力,其共模瞬变抗扰度(CMTI)高达150kV/s,能有效抑制功率开关动作时产生的高频噪声,确保在恶劣的工业电磁环境下信号的稳定传输。
在性能表现上,该驱动器具备出色的动态响应特性。其传播延迟典型值较低,最大tpLH/tpHL分别为42ns和58ns,而脉宽失真(PWD)最大仅为16.5ns,这有助于实现精确的开关控制并最小化死区时间。其上升与下降时间典型值均为18ns,结合高达2.3A的峰值拉/灌电流能力,使其能够快速、有力地驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET等功率开关器件,有效降低开关损耗并提升系统效率。输出侧供电电压范围宽达4.5V至35V,为驱动不同电压等级的功率器件提供了灵活性。
该芯片的接口设计简洁高效。其采用标准的6引脚SOIC封装,表面贴装形式便于集成。输入侧兼容宽范围的逻辑电平,输出侧则提供独立的源出和吸入引脚,支持用户灵活配置栅极驱动电阻以优化开关波形。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至125°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠隔离驱动解决方案的设计工程师而言,通过专业的ADI一级代理商获取此器件,是保障供应链稳定与技术支持的重要途径。
凭借其高隔离耐压、快速响应、强驱动能力及高抗扰度,ADUM4120-1ARIZ-RL非常适合应用于要求高可靠性的功率转换与电机控制领域。典型应用场景包括工业电机驱动、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、伺服驱动器以及电动汽车的充电桩和车载充电机(OBC)。在这些系统中,它能够安全、高效地实现低压控制电路对高压功率桥臂的隔离驱动,是构建高性能、高安全性电力电子系统的关键组件。
- 制造商产品型号:ADUM4120-1ARIZ-RL
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SOIC
- 系列:隔离器 - 栅极驱动器
- 产品系列:iCoupler
- 零件状态:有源
- 技术:磁耦合
- 通道数:1
- 电压-隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):150kV/s
- 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):42ns,58ns
- 脉宽失真(最大):16.5ns
- 上升/下降时间(典型值):18ns,18ns
- 电流-输出高、低:-
- 电流-峰值输出:2.3A
- 电压-正向(Vf)(典型值):-
- 电流-DC正向(If)(最大值):-
- 电压-输出供电:4.5V ~ 35V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:6-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:6-SOIC-IC
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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