

ADUM3223WBRZ技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 - 栅极驱动器,封装:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR 16SOIC
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ADUM3223WBRZ技术参数详情说明:
ADUM3223WBRZ是亚德诺半导体(ADI)推出的一款采用磁耦合(iCoupler)技术的双通道隔离式栅极驱动器。该器件集成了两个独立的隔离通道,每个通道均能提供高达4A的峰值输出电流,专为高效、可靠地驱动功率MOSFET和IGBT而设计。其核心架构基于ADI成熟的芯片级变压器技术,不仅实现了信号与电源的高性能电气隔离,还确保了在严苛的工业与汽车环境下信号的完整性与传输的精确性。
该器件具备3000Vrms的隔离电压和高达50kV/s的共模瞬变抗扰度(CMTI),这使其在存在剧烈电压摆动的功率转换应用中,能够有效抑制噪声干扰,防止误触发,保障系统稳定运行。其传播延迟典型值极低,且两个通道间的延迟匹配性能出色,这有助于在多相拓扑或桥式电路中实现精确的同步控制,优化开关效率并降低损耗。对于需要可靠元器件供应的客户,可以通过授权的ADI代理商获取原厂正品和技术支持。
在接口与电气参数方面,ADUM3223WBRZ的次级侧输出供电范围宽达7.5V至18V,兼容多种栅极驱动电压需求。其典型上升和下降时间仅为12ns,结合4A的强大拉灌电流能力,可以快速对功率器件的栅极电容进行充放电,从而显著减小开关损耗,提升系统整体效率。器件采用紧凑的16引脚SOIC宽体封装,支持表面贴装,工作温度范围覆盖-40°C至125°C,完全满足汽车级(Automotive)应用的可靠性要求。
基于其高可靠性、快速开关性能和强大的抗干扰能力,ADUM3223WBRZ非常适用于电动汽车(EV)的牵引逆变器、车载充电机(OBC)、工业电机驱动、不间断电源(UPS)以及太阳能逆变器等高压、高噪声环境。在这些场景中,它作为控制系统与功率开关之间的关键桥梁,确保了高压侧与低压侧的安全隔离与精准控制,是构建高效、紧凑且鲁棒的功率电子系统的理想选择。
- 制造商产品型号:ADUM3223WBRZ
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR 16SOIC
- 系列:隔离器 - 栅极驱动器
- 产品系列:Automotive
- 零件状态:有源
- 技术:磁耦合
- 通道数:2
- 电压-隔离:3000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):50kV/s
- 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):54ns,54ns
- 脉宽失真(最大):-
- 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
- 电流-输出高、低:-
- 电流-峰值输出:4A
- 电压-正向(Vf)(典型值):-
- 电流-DC正向(If)(最大值):-
- 电压-输出供电:7.5V ~ 18V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:16-SOIC
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为ADI代理商的战略合作伙伴,我们长期提供ADUM3223WBRZ现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
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