

ADUM3123CRZ技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 - 栅极驱动器,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:DGTL ISO 3KV 1CH GATE DRVR 8SOIC
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ADUM3123CRZ技术参数详情说明:
ADUM3123CRZ是一款基于ADI公司iCoupler技术的单通道隔离式栅极驱动器。该器件采用先进的磁耦合隔离架构,通过片上变压器实现信号与电源的跨隔离栅传输,从而在单芯片内集成了信号隔离与高功率驱动功能。这种架构消除了对分立式光耦或外部隔离电源的依赖,不仅简化了系统设计,还显著提升了可靠性与集成度。其核心隔离屏障采用聚酰亚胺材料,能够提供高达3000Vrms的持续工作电压隔离,确保高压侧与低压侧之间的安全隔离。
在功能层面,该驱动器具备出色的动态性能。其传播延迟典型值极低,且通道间匹配度高,这为精确控制功率开关器件(如IGBT、MOSFET)的导通与关断提供了保障。器件拥有高达50kV/s的共模瞬态抗扰度(CMTI),能够在功率电路开关产生剧烈电压波动时,确保控制信号的完整性与稳定性,避免误触发。峰值输出电流能力达到4A,可直接驱动大多数中高功率开关管,简化了驱动级设计。其输出侧工作电压范围(11.1V至18V)兼容主流的IGBT和SiC MOSFET栅极驱动需求。
接口与电气参数方面,ADUM3123CRZ设计为单通道输入与输出,采用标准的8引脚SOIC封装,便于表面贴装。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至125°C,确保在严苛环境下稳定运行。快速的上升与下降时间(典型值12ns)有助于降低开关损耗,提升系统效率。对于需要可靠隔离与高效驱动的应用,选择合适的ADI芯片代理是确保获得正品器件和专业技术支持的关键环节。
该芯片典型应用于需要高电压隔离和可靠驱动的场合。例如,在工业电机驱动、光伏逆变器、不间断电源(UPS)以及电动汽车的车载充电器中,它常用于驱动桥式拓扑中的高边或低边开关管。其强大的隔离能力和驱动性能,使其成为提升系统功率密度、安全性和可靠性的理想选择,尤其适用于空间受限且对电磁干扰敏感的高性能电源与驱动系统。
- 制造商产品型号:ADUM3123CRZ
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:DGTL ISO 3KV 1CH GATE DRVR 8SOIC
- 系列:隔离器 - 栅极驱动器
- 产品系列:iCoupler
- 零件状态:有源
- 技术:磁耦合
- 通道数:1
- 电压-隔离:3000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):50kV/s
- 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):62ns,62ns
- 脉宽失真(最大):-
- 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
- 电流-输出高、低:-
- 电流-峰值输出:4A
- 电压-正向(Vf)(典型值):-
- 电流-DC正向(If)(最大值):-
- 电压-输出供电:11.1V ~ 18V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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