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ADUM231E0BRWZ-RL技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:数字隔离器,封装:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 技术参数:DGTL ISO 5000VRMS 3CH GP 16SOIC
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ADUM231E0BRWZ-RL技术参数详情说明:

ADUM231E0BRWZ-RL是ADI(Analog Devices)公司推出的一款基于iCoupler磁隔离技术的三通道数字隔离器。该器件采用先进的芯片级变压器技术,通过磁耦合方式在输入与输出电路之间建立可靠的电气隔离屏障,有效替代传统光耦方案。其核心架构集成了高速CMOS工艺与多芯片级变压器,能够在单一封装内实现高集成度的信号与电源隔离(本型号不集成隔离电源),同时确保信号传输的完整性与低功耗特性。

该隔离器具备出色的性能指标,其5000Vrms的隔离电压高达75kV/s的共模瞬变抗扰度(CMTI),使其在存在剧烈电压波动和噪声的恶劣工业环境中能够稳定工作,有效防止高压浪涌和地电位差导致的逻辑错误或设备损坏。其数据传输能力同样卓越,支持最高150Mbps的数据速率,并且传播延迟极低(最大值13ns),配合仅为3ns的最大脉宽失真和2.5ns的典型上升/下降时间,确保了高速数字信号(如SPI、IC、RS-485)在穿越隔离屏障时具有优异的时序保真度和信号完整性。

在接口与工作参数方面,ADUM231E0BRWZ-RL提供了3个单向隔离通道,配置为2个正向与1个反向通道,为各种双向通信需求提供了灵活的布局。其宽泛的1.7V至5.5V供电电压范围使其能够轻松兼容3.3V、5V等不同逻辑电平的系统,实现多电压域间的无缝连接。器件采用16引脚SOIC宽体封装,满足表面贴装要求,并支持-40°C至125°C的扩展工业温度范围,保证了其在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ADI芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高可靠性、高速性能与强大的抗干扰能力,ADUM231E0BRWZ-RL非常适用于工业自动化、电机驱动、太阳能逆变器、医疗设备、通信电源以及电动汽车充电桩等应用场景。在这些系统中,它主要用于隔离微控制器与功率器件(如IGBT、SiC MOSFET)的驱动信号、保护敏感的测量电路,或在不同的安全电压域之间安全地传输数据与控制信号,是构建高安全性、高稳定性电子系统的关键元器件。

  • 制造商产品型号:ADUM231E0BRWZ-RL
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:DGTL ISO 5000VRMS 3CH GP 16SOIC
  • 系列:数字隔离器
  • 零件状态:有源
  • 技术:磁耦合
  • 类型:通用
  • 隔离式电源:无
  • 通道数:3
  • 输入-侧1/侧2:2/1
  • 通道类型:单向
  • 电压-隔离:5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值):75kV/s
  • 数据速率:150Mbps
  • 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):13ns,13ns
  • 脉宽失真(最大):3ns
  • 上升/下降时间(典型值):2.5ns,2.5ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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