

ADUM120N1WBRZ技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:数字隔离器,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:DGTL ISO 3000VRMS 2CH GP 8SOIC
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ADUM120N1WBRZ技术参数详情说明:
作为一款高性能数字隔离器,ADUM120N1WBRZ采用了Analog Devices公司成熟的iCoupler磁耦合隔离技术。该架构通过在芯片内部集成微型变压器,利用高频载波调制穿过隔离栅传输数字信号,从而实现了信号传输与高压隔离的完美结合。这种设计摒弃了传统光耦依赖LED和光电二极管的光电转换方式,不仅消除了光衰问题,还显著提升了数据速率、时序精度和长期可靠性,为系统提供了稳定且耐久的隔离屏障。
该器件具备两个单向隔离通道,配置为2/0(输入/输出),能够有效隔离噪声并保护敏感电路。其核心优势在于高达3000Vrms的电气隔离能力与卓越的100kV/s共模瞬变抗扰度,确保在工业电机驱动、电源转换等存在剧烈电压波动和噪声干扰的恶劣环境中,信号传输依然精准无误。同时,它支持高达150Mbps的数据速率,配合极低的传播延迟(典型值13ns)和脉宽失真(最大值3ns),使其能够胜任高速数字通信与精密控制任务。
在接口与电气参数方面,ADUM120N1WBRZ展现出高度的灵活性与鲁棒性。其供电电压范围宽达1.8V至5.5V,可直接与多种低压逻辑电平(如1.8V、3.3V、5V)接口兼容,极大简化了多电压域系统的设计。器件采用标准的8引脚SOIC封装,便于表面贴装,并支持-40°C至125°C的扩展工业温度范围,确保在严苛环境下稳定工作。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ADI代理商获取原装正品和技术支持。
基于上述特性,该芯片广泛应用于需要高压安全隔离和高速信号完整性的领域。典型场景包括工业自动化系统中的PLC数字I/O模块、电机驱动器的栅极驱动信号隔离、太阳能逆变器或UPS中的通信接口隔离,以及医疗设备、测试测量仪器中用于保护低压控制侧免受高压侧干扰。其通用型设计使其成为替代光耦或其他隔离方案,以实现更高性能、更小体积和更长寿命的优选解决方案。
- 制造商产品型号:ADUM120N1WBRZ
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:DGTL ISO 3000VRMS 2CH GP 8SOIC
- 系列:数字隔离器
- 零件状态:有源
- 技术:磁耦合
- 类型:通用
- 隔离式电源:无
- 通道数:2
- 输入-侧1/侧2:2/0
- 通道类型:单向
- 电压-隔离:3000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):100kV/s
- 数据速率:150Mbps
- 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):13ns,13ns
- 脉宽失真(最大):3ns
- 上升/下降时间(典型值):2.5ns,2.5ns
- 电压-供电:1.8V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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