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ADR443BRZ-REEL7技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:电源管理IC - 电压基准,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 技术参数:IC VREF SERIES 0.04% 8SOIC
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ADR443BRZ-REEL7技术参数详情说明:

ADR443BRZ-REEL7是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款基于其专利XFET(eXtra implanted junction Field-Effect Transistor)架构的高精度系列电压基准源。该架构通过在芯片内部构建一个高度稳定的埋层结型场效应管作为核心参考元件,结合先进的温度补偿电路和激光微调技术,从根本上实现了优异的长期稳定性和极低的温度漂移。这种设计摒弃了传统带隙基准或齐纳二极管基准中常见的与工艺和温度强相关的物理特性,从而在宽温范围内提供了一致且可预测的输出性能。

该器件能够提供3.000V的固定输出电压,其初始精度高达±0.04%,确保了系统上电初始阶段的精确性。更关键的是,其温度系数低至3ppm/°C,这意味着在-40°C至125°C的整个工业级工作温度范围内,输出电压的变化被控制在极小的范围内,这对于要求严苛的精密测量和控制系统至关重要。同时,其超低噪声特性,在0.1Hz至10Hz频带内噪声仅为1.4Vp-p,有效避免了噪声对高分辨率模数转换器(ADC)或数模转换器(DAC)最低有效位(LSB)的干扰,提升了信号链的整体动态范围和无杂散动态范围(SFDR)。

在接口与电气参数方面,ADR443BRZ-REEL7采用标准的8引脚SOIC封装,支持表面贴装,便于集成。其工作输入电压范围较宽,为3.5V至18V,为系统设计提供了灵活性。器件本身消耗的静态电流典型值为3.75mA,在提供高达10mA输出电流能力的同时,能保持基准电压的稳定,负载调整率表现优异。用户可以通过专业的ADI代理获取完整的技术资料、评估板以及供应链支持。其卷带(TR)包装形式也完全适配现代自动化贴装生产线,提升了生产效率。

凭借其卓越的精度、稳定性和低噪声性能,ADR443BRZ-REEL7非常适合于对基准源要求极高的应用场景。它是高精度数据采集系统、工业过程控制仪表、医疗成像设备、精密测试与测量仪器以及高端音频处理设备中ADC/DAC参考电路的理想选择。在通信基础设施、航空航天电子等需要长期可靠性和环境适应性的领域,该器件也能提供稳定可信的电压基准,确保整个信号链路的性能底线。

  • 制造商产品型号:ADR443BRZ-REEL7
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC VREF SERIES 0.04% 8SOIC
  • 产品系列:电源管理IC - 电压基准
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:XFET
  • 零件状态:有源
  • 参考类型:系列
  • 输出类型:固定
  • 电压-输出(最小值/固定):3V
  • 电压-输出(最大值):-
  • 电流-输出:10mA
  • 容差:±0.04%
  • 温度系数:3ppm/°C
  • 噪声-01Hz至10Hz:1.4Vp-p
  • 噪声-10Hz至10Hz:-
  • 电压-输入:3.5V ~ 18V
  • 电流-供电:3.75mA
  • 电流-阴极:-
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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