

ADR434ARZ技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 电压基准,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:IC VREF SERIES 0.12% 8SOIC
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ADR434ARZ技术参数详情说明:
ADR434ARZ是一款基于亚德诺半导体(ADI)专有XFET(外加离子注入场效应晶体管)架构设计的精密串联电压基准源。该架构通过在基准核心电路中集成一个离子注入结型场效应晶体管,实现了优异的长期稳定性和极低的噪声特性,其核心优势在于对热滞后的显著抑制,这对于需要高重复性和稳定性的精密测量系统至关重要。与传统的带隙或埋藏齐纳基准相比,XFET技术提供了更优的噪声性能与功耗平衡,使其成为高端数据采集和仪器仪表应用的理想选择。
该器件提供4.096V的固定输出电压,初始精度高达±0.12%,确保了信号链前端的高精度基准设定。其10ppm/°C的超低温漂系数,结合仅6.25Vp-p的极低0.1Hz至10Hz噪声,使得系统在宽温范围(-40°C至125°C)内仍能保持卓越的直流精度和分辨率。同时,它具备高达30mA的输出/吸入电流能力,可直接驱动多个负载,而静态工作电流仅为800A,兼顾了性能与功耗。其宽输入电压范围(6.1V至18V)和良好的负载调整率,为设计提供了充分的灵活性和鲁棒性。
在接口与参数方面,ADR434ARZ采用标准的8引脚SOIC封装,支持表面贴装,便于集成到高密度PCB布局中。其系列(三端)架构简化了外围电路设计,通常仅需输入和输出端的去耦电容即可稳定工作。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过授权的ADI芯片代理获取正品器件及完整的设计资源。其全面的电气规格和坚固的设计,确保了在工业环境下的长期可靠运行。
这款电压基准芯片非常适合应用于对精度和稳定性要求苛刻的场景。它是高分辨率数据采集系统(DAQ)、精密模拟-to-数字转换器(ADC)和数字-to-模拟转换器(DAC)的参考源的理想选择,能够显著提升系统整体的信噪比(SNR)和有效位数(ENOB)。此外,在工业过程控制、自动化测试设备、医疗仪器以及高精度电源管理中,ADR434ARZ都能为关键测量和控制电路提供稳定、洁净的电压基准,是提升终端产品性能与可靠性的核心元器件。
- 制造商产品型号:ADR434ARZ
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC VREF SERIES 0.12% 8SOIC
- 产品系列:电源管理IC - 电压基准
- 包装:管件
- 系列:XFET
- 零件状态:有源
- 参考类型:系列
- 输出类型:固定
- 电压-输出(最小值/固定):4.096V
- 电压-输出(最大值):-
- 电流-输出:30mA
- 容差:±0.12%
- 温度系数:10ppm/°C
- 噪声-01Hz至10Hz:6.25Vp-p
- 噪声-10Hz至10Hz:-
- 电压-输入:6.1V ~ 18V
- 电流-供电:800A
- 电流-阴极:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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