

ADR431BRZ-REEL7技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 电压基准,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:IC VREF SERIES 0.04% 8SOIC
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ADR431BRZ-REEL7技术参数详情说明:
ADR431BRZ-REEL7是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款基于XFET(外加离子注入场效应晶体管)架构的高精度系列电压基准源。该架构通过在基准核心电路上叠加一个离子注入层,有效抑制了齐纳二极管基准中常见的噪声和热滞效应,从而实现了极低的温度漂移和长期稳定性。其内部集成了一个精密的带隙基准核心、一个低噪声缓冲放大器以及必要的补偿和保护电路,能够在宽输入电压和温度范围内提供高度稳定的输出电压。
该器件提供了±0.04%的初始精度和3ppm/°C的极低温漂系数,确保了在整个工作温度范围内的输出电压偏差极小。其低频噪声性能优异,在0.1Hz至10Hz带宽内噪声低至3.5Vp-p,这对于高分辨率数据采集系统和精密测量仪表至关重要。该芯片采用固定2.5V输出,最大可提供30mA的拉电流和吸电流能力,静态工作电流仅为800A,功耗极低。其宽达4.5V至18V的输入电压范围,使其能够轻松适应多种电源环境。
在接口与参数方面,ADR431BRZ-REEL7采用标准的8引脚SOIC封装,支持表面贴装,便于集成到紧凑的PCB布局中。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至125°C,保证了在恶劣环境下的可靠运行。对于需要稳定、可靠基准源的设计,通过正规的ADI代理获取此器件是确保供应链安全和产品质量的重要途径。其卷带(TR)包装也完全适配自动化贴片生产流程,提升了大规模制造的效率。
这款电压基准源非常适合应用于对精度和稳定性要求极高的领域。在精密数据采集系统(DAQ)和高速高分辨率模数转换器(ADC)中,它可以作为关键的参考电压,直接决定系统的整体测量精度。在工业过程控制仪表、医疗电子设备以及高端测试测量仪器中,其低噪声和低温漂特性能够显著提升设备的性能和可靠性。此外,它也常被用于通信基础设施和汽车电子中的精密电源管理模块,为复杂的模拟或混合信号电路提供洁净、稳定的电压基准。
- 制造商产品型号:ADR431BRZ-REEL7
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC VREF SERIES 0.04% 8SOIC
- 产品系列:电源管理IC - 电压基准
- 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
- 系列:XFET
- 零件状态:有源
- 参考类型:系列
- 输出类型:固定
- 电压-输出(最小值/固定):2.5V
- 电压-输出(最大值):-
- 电流-输出:30mA
- 容差:±0.04%
- 温度系数:3ppm/°C
- 噪声-01Hz至10Hz:3.5Vp-p
- 噪声-10Hz至10Hz:-
- 电压-输入:4.5V ~ 18V
- 电流-供电:800A
- 电流-阴极:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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