

ADR431BR-REEL7技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 电压基准,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:IC VREF SERIES 0.04% 8SOIC
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ADR431BR-REEL7技术参数详情说明:
ADR431BR-REEL7是一款基于ADI公司专利XFET(eXtra implanted junction Field-Effect Transistor)架构的精密电压基准源。该架构通过在芯片内部构建一个埋入式结型场效应管作为核心基准元件,实现了优异的长期稳定性和极低的噪声性能。与传统的带隙基准或齐纳二极管基准相比,XFET技术显著降低了热迟滞效应,并能在更宽的输入电压和温度范围内保持输出稳定,这使其成为高精度数据采集和测量系统的理想选择。
该器件提供2.5V的固定输出电压,其初始精度高达±0.04%,确保了系统上电初始阶段的精确性。更关键的是,其超低的温度系数,典型值仅为3ppm/°C,意味着在-40°C至125°C的整个工业级工作温度范围内,输出电压的漂移被控制在极小的范围内。同时,它在0.1Hz至10Hz频带内的噪声低至3.5Vp-p,这对于需要高分辨率、低噪声的精密模拟前端电路至关重要。其工作电压范围为4.5V至18V,静态工作电流仅为800A,并能提供高达30mA的输出电流,可直接驱动多个负载或作为ADC的基准源。
在接口与封装方面,ADR431BR-REEL7采用标准的8引脚SOIC表面贴装封装,便于集成到各类PCB设计中。其引脚配置支持标准的电压基准连接方式,包括输入、输出和接地引脚,以及用于提升性能的噪声抑制和温度补偿相关引脚。用户可以通过ADI代理获取完整的数据手册以了解详细的布局和旁路电容建议,这对于实现数据手册标称的性能指标非常重要。需要注意的是,该器件目前处于停产状态,在进行新设计选型时应考虑替代方案或联系供应商确认库存情况。
凭借其卓越的精度和稳定性,该芯片广泛应用于需要极高电压参考精度的领域。典型应用包括高精度数据采集系统(DAQ)、工业过程控制仪表、医疗成像设备、精密测试与测量设备(如数字万用表、频谱分析仪)以及高分辨率模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)的基准电压源。在这些对系统整体精度和长期可靠性有严苛要求的场景中,ADR431BR-REEL7能够为整个信号链提供一个坚实、可信赖的电压基准点。
- 制造商产品型号:ADR431BR-REEL7
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC VREF SERIES 0.04% 8SOIC
- 产品系列:电源管理IC - 电压基准
- 包装:卷带(TR)
- 系列:XFET
- 零件状态:停产
- 参考类型:系列
- 输出类型:固定
- 电压-输出(最小值/固定):2.5V
- 电压-输出(最大值):-
- 电流-输出:30mA
- 容差:±0.04%
- 温度系数:3ppm/°C
- 噪声-01Hz至10Hz:3.5Vp-p
- 噪声-10Hz至10Hz:-
- 电压-输入:4.5V ~ 18V
- 电流-供电:800A
- 电流-阴极:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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