

ADR431ARMZ技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 电压基准,产品封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 技术参数:IC VREF SERIES 0.12% 8MSOP
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ADR431ARMZ技术参数详情说明:
ADR431ARMZ是亚德诺半导体(ADI)推出的一款基于其专利XFET(外加离子注入场效应晶体管)架构的高精度系列电压基准源。该架构通过在传统JFET结构上进行离子注入,构建了一个高度稳定的内部基准核心,其显著优势在于能够提供极低的噪声和出色的长期稳定性,同时对电源电压变化和负载变化具有优异的抑制能力。这种设计使得芯片在宽温度范围内保持极低的温度漂移特性,成为要求苛刻的精密测量与信号处理系统的理想选择。
该器件提供2.5V的固定输出电压,初始精度高达±0.12%,最大温度系数低至10ppm/°C。其超低噪声特性尤为突出,在0.1Hz至10Hz频带内噪声典型值仅为3.5Vp-p,这对于需要高分辨率数据转换或精密传感器信号调理的应用至关重要。芯片工作电压范围宽达4.5V至18V,静态工作电流典型值为800A,同时具备高达30mA的输出驱动能力,可直接为模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)或运算放大器等负载提供稳定的基准电压,而无需额外的缓冲电路。
在接口与参数方面,ADR431ARMZ采用表面贴装的8引脚MSOP封装,便于在空间受限的PCB布局中使用。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至+125°C,确保了在恶劣环境下的可靠运行。对于需要确保供应链稳定和获得全面技术支持的设计项目,通过官方授权的ADI一级代理商进行采购是推荐的可靠途径。该芯片的优异性能指标,包括高精度、低噪声、低漂移和良好的负载调整率,使其成为构建高性能系统的基石。
基于上述特性,ADR431ARMZ广泛应用于需要极高精度和稳定性的领域。典型应用场景包括高分辨率数据采集系统(如16位及以上精度的ADC/DAC参考)、精密测试与测量仪器、医疗诊断设备、工业过程控制系统以及通信基础设施中的精密电源管理。在这些系统中,电压基准源的性能直接决定了整体系统的精度和线性度,因此选择像ADR431ARMZ这样的高性能基准源是保证系统指标达成的关键。
- 制造商产品型号:ADR431ARMZ
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC VREF SERIES 0.12% 8MSOP
- 产品系列:电源管理IC - 电压基准
- 包装:管件
- 系列:XFET
- 零件状态:有源
- 参考类型:系列
- 输出类型:固定
- 电压-输出(最小值/固定):2.5V
- 电压-输出(最大值):-
- 电流-输出:30mA
- 容差:±0.12%
- 温度系数:10ppm/°C
- 噪声-01Hz至10Hz:3.5Vp-p
- 噪声-10Hz至10Hz:-
- 电压-输入:4.5V ~ 18V
- 电流-供电:800A
- 电流-阴极:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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