

ADR425ARMZ技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 电压基准,产品封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 技术参数:IC VREF SERIES 0.12% 8MSOP
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ADR425ARMZ技术参数详情说明:
ADR425ARMZ是亚德诺半导体(Analog Devices)基于其专利XFET(外加离子注入场效应晶体管)架构设计的一款精密串联型电压基准源。该架构通过在传统JFET结构中引入额外的离子注入层,有效抑制了齐纳二极管基准中常见的齐纳噪声和热迟滞效应,同时避免了带隙基准固有的曲率补偿难题,从而在宽温度范围内实现了优异的初始精度和极低的温度漂移特性。其核心电路设计确保了输出电压对输入电压变化和负载电流变化的高度不敏感性,为高精度数据采集系统提供了稳定的电压参考点。
该器件提供5V的固定输出电压,其初始精度高达±0.12%,最大温度系数低至10ppm/°C,确保了从工业级温度范围(-40°C至125°C)内参考电压的长期稳定性。其超低噪声性能尤为突出,在0.1Hz至10Hz频带内噪声电压峰峰值仅为3.4Vp-p,这对于高分辨率模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)的噪声性能至关重要。此外,其工作电流消耗典型值仅为600A,在提供最高10mA输出电流能力的同时,保持了出色的电源效率,非常适合电池供电或低功耗应用场景。
在接口与参数方面,ADR425ARMZ采用串联拓扑,输入电压范围宽达7V至18V,为前端电源设计提供了灵活性。它采用紧凑的8引脚MSOP表面贴装封装,便于在空间受限的PCB布局中集成。其稳定的输出无需外部电容即可工作,但连接一个0.1F至10F的旁路电容可以进一步优化对瞬态负载的响应和噪声抑制性能。对于需要稳定可靠供应链的客户,通过官方授权的ADI一级代理商进行采购是确保产品正品和质量一致性的重要途径。
凭借其高精度、低噪声和低功耗的卓越组合,该芯片广泛应用于各类精密测量仪器、工业过程控制系统、医疗设备以及高分辨率数据采集系统中,作为16位乃至更高位数的ADC/DAC的基准电压源。它也常见于自动化测试设备、精密电源和需要稳定电压比较阈值的电路设计中,是工程师构建高性能、高可靠性模拟信号链的核心基础元件之一。
- 制造商产品型号:ADR425ARMZ
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC VREF SERIES 0.12% 8MSOP
- 产品系列:电源管理IC - 电压基准
- 包装:管件
- 系列:XFET
- 零件状态:有源
- 参考类型:系列
- 输出类型:固定
- 电压-输出(最小值/固定):5V
- 电压-输出(最大值):-
- 电流-输出:10mA
- 容差:±0.12%
- 温度系数:10ppm/°C
- 噪声-01Hz至10Hz:3.4Vp-p
- 噪声-10Hz至10Hz:-
- 电压-输入:7V ~ 18V
- 电流-供电:600A
- 电流-阴极:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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