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ADR421BR技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:电源管理IC - 电压基准,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 技术参数:IC VREF SERIES 0.04% 8SOIC
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ADR421BR技术参数详情说明:

ADR421BR是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款基于XFET(外加离子注入场效应晶体管)架构的高精度系列电压基准芯片。该架构通过在芯片内部集成一个埋藏齐纳二极管和一系列精密匹配的薄膜电阻,实现了极低的噪声和优异的长期稳定性。其核心在于利用离子注入技术形成稳定的基准结,该结的击穿电压受工艺变化和温度漂移的影响极小,从而为整个系统提供了一个异常纯净和稳定的电压参考源。

这款器件能提供2.5V的固定输出电压,其初始精度高达±0.04%,确保了系统上电即具备卓越的精确度。更值得关注的是其3ppm/°C的超低温漂系数,这意味着在-40°C至125°C的宽工作温度范围内,输出电压的变化被控制在极小的范围内,这对于环境温度变化剧烈的工业或汽车应用至关重要。同时,它在0.1Hz至10Hz频带内的噪声低至1.75Vp-p,有效降低了基准源本身引入的系统噪声,提升了高分辨率数据采集系统的信噪比。

在接口与电气参数方面,ADR421BR设计简洁而高效。它仅需4.5V至18V的单电源供电,静态工作电流典型值仅为600A,功耗极低。其输出端具备10mA的带载能力,足以驱动多个运算放大器或ADC的参考输入引脚。器件采用标准的8引脚SOIC表面贴装封装,便于集成到各类紧凑的电路板设计中。尽管该产品目前已处于停产状态,但其卓越的性能指标使其在存量市场和特定高要求设计中依然具有重要参考价值。对于需要获取此类高性能器件的工程师,可以咨询专业的ADI中国代理,以获取库存、替代方案或技术支持。

凭借其高精度、低噪声和低漂移的特性,ADR421BR非常适合于对系统精度和稳定性有严苛要求的应用场景。它是高分辨率模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)以及精密测量仪器的理想基准电压源。在工业过程控制、高端测试设备、医疗仪器以及汽车传感器信号调理电路中,该芯片能够确保整个信号链的测量准确度和可重复性,是构建高性能模拟系统的关键基石之一。

  • 制造商产品型号:ADR421BR
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC VREF SERIES 0.04% 8SOIC
  • 产品系列:电源管理IC - 电压基准
  • 包装:管件
  • 系列:XFET
  • 零件状态:停产
  • 参考类型:系列
  • 输出类型:固定
  • 电压-输出(最小值/固定):2.5V
  • 电压-输出(最大值):-
  • 电流-输出:10mA
  • 容差:±0.04%
  • 温度系数:3ppm/°C
  • 噪声-01Hz至10Hz:1.75Vp-p
  • 噪声-10Hz至10Hz:-
  • 电压-输入:4.5V ~ 18V
  • 电流-供电:600A
  • 电流-阴极:-
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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