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ADR420BRZ-REEL7技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:电源管理IC - 电压基准,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 技术参数:IC VREF SERIES 0.05% 8SOIC
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ADR420BRZ-REEL7技术参数详情说明:

ADR420BRZ-REEL7是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款基于XFET(外加离子注入场效应晶体管)架构的高精度系列电压基准源。该架构摒弃了传统带隙基准中常见的齐纳二极管或双极结型晶体管结构,通过独特的离子注入工艺和温度补偿机制,从根本上降低了热迟滞效应和长期漂移,为实现超低噪声和超高温度稳定性奠定了物理基础。其内部集成了精密修调电路和缓冲放大器,确保了在宽温度范围和负载变化下输出电压的精确与稳定。

该器件提供2.048V的固定输出电压,其核心优势在于±0.05%的初始精度3ppm/°C的极低温度系数。在噪声性能方面,其在0.1Hz至10Hz频带内仅产生1.75Vp-p的超低噪声,这对于要求高分辨率和高信噪比的精密测量系统至关重要。其工作电压范围宽达4V至18V,而静态工作电流典型值仅为600A,体现了高性能与低功耗的平衡。同时,它能够提供高达10mA的拉/灌电流,可直接驱动中等负载,增强了系统设计的灵活性。

该芯片采用标准的8引脚SOIC封装,支持表面贴装,便于集成到各类紧凑的PCB布局中。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至125°C,确保了在苛刻环境下的可靠运行。这些接口与参数特性使其成为构建高精度数据采集链路的理想选择。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过ADI中国代理获取该产品的详细信息与采购服务。

在应用层面,ADR420BRZ-REEL7广泛适用于需要极高直流精度和稳定性的场合。它是高分辨率Σ-Δ型或逐次逼近型模数转换器的理想基准源,可显著提升数据采集系统、精密仪器仪表和医疗设备的测量精度。此外,在工业过程控制、自动化测试设备以及通信基础设施中,其出色的长期稳定性和低噪声特性,能够为精密数模转换器、比较器电路和传感器信号调理提供可靠的电压参考,从而保障整个系统的性能指标和长期运行一致性。

  • 制造商产品型号:ADR420BRZ-REEL7
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC VREF SERIES 0.05% 8SOIC
  • 产品系列:电源管理IC - 电压基准
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:XFET
  • 零件状态:有源
  • 参考类型:系列
  • 输出类型:固定
  • 电压-输出(最小值/固定):2.048V
  • 电压-输出(最大值):-
  • 电流-输出:10mA
  • 容差:±0.05%
  • 温度系数:3ppm/°C
  • 噪声-01Hz至10Hz:1.75Vp-p
  • 噪声-10Hz至10Hz:-
  • 电压-输入:4V ~ 18V
  • 电流-供电:600A
  • 电流-阴极:-
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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