

ADR291GT9Z技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 电压基准,产品封装:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- 技术参数:IC VREF SERIES 0.24% TO92-3
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ADR291GT9Z技术参数详情说明:
ADR291GT9Z是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款基于其专利XFET(扩展结型场效应晶体管)架构的精密系列电压基准源。该架构摒弃了传统带隙基准中常见的齐纳二极管或双极晶体管结构,通过独特的场效应管设计,在根本上优化了噪声和功耗表现。其核心在于利用JFET工作在夹断区产生的稳定电压,并通过内部电路进行精确的温度补偿与放大,从而在宽温范围内生成一个极其稳定、噪声极低的固定参考电压。这种设计理念使其在精度、静态电流和长期稳定性之间取得了出色的平衡。
该器件提供2.5V的固定输出电压,初始精度高达±0.24%,最大温度系数低至30ppm/°C,确保了从工业控制到便携设备等各种环境下的可靠性与一致性。其超低的0.1Hz至10Hz频带内噪声仅为50Vp-p,这对于高分辨率数据采集系统和精密测量仪表至关重要,能有效提升系统的信噪比和有效位数。同时,仅15A的静态电流和3V至15V的宽输入电压范围,使其特别适合由电池供电或对功耗敏感的应用场景,在延长设备续航时间的同时,提供了充足的电源设计裕度。
在接口与参数方面,ADR291GT9Z采用标准的三引脚TO-92通孔封装,便于原型设计和小批量生产中的安装与焊接。它能够提供高达5mA的拉/灌电流,可直接驱动多个负载或作为ADC、DAC的稳定参考源。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C的工业级标准,保证了在严苛环境下的稳定运行。对于需要稳定、精密电压基准的设计工程师而言,通过正规的ADI中国代理获取此器件,是确保产品性能和供应链可靠性的重要一环。
基于上述特性,该芯片广泛应用于需要高精度、低噪声基准电压的领域。典型应用包括高精度模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)的参考电压源、精密数据采集系统、工业过程控制仪表、便携式医疗设备以及电池供电的测试测量设备。其低功耗特性也使其成为无线传感器网络节点和物联网终端设备的理想选择,为这些设备的核心模拟电路提供一个安静且稳定的电压基准,从而提升整体系统的测量精度和能效比。
- 制造商产品型号:ADR291GT9Z
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC VREF SERIES 0.24% TO92-3
- 产品系列:电源管理IC - 电压基准
- 包装:管件
- 系列:XFET
- 零件状态:有源
- 参考类型:系列
- 输出类型:固定
- 电压-输出(最小值/固定):2.5V
- 电压-输出(最大值):-
- 电流-输出:5mA
- 容差:±0.24%
- 温度系数:30ppm/°C
- 噪声-01Hz至10Hz:50Vp-p
- 噪声-10Hz至10Hz:-
- 电压-输入:3V ~ 15V
- 电流-供电:15A
- 电流-阴极:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:通孔
- 产品封装:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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