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ADP195ACBZ-R7技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:电源管理IC - 配电开关,负载驱动器,供应商器件封装:4-WLCSP(0.95x1.03)
  • 技术参数:IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WLCSP
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ADP195ACBZ-R7技术参数详情说明:

ADP195ACBZ-R7是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计生产的高性能P沟道负载开关,采用先进的1:1单刀单掷架构。其核心设计围绕一个集成的P沟道功率MOSFET构建,该MOSFET作为高端开关,直接串联在电源与负载之间,实现对下游电路供电的精确控制。这种架构省去了传统设计中所需的外部驱动电路和独立的电源管理IC供电引脚(Vcc/Vdd),极大地简化了系统设计,并减少了外围元件数量和PCB占用面积。芯片内部集成了完整的控制逻辑、驱动以及保护电路,形成一个高度集成的解决方案。

该器件具备多项突出的功能特性。极低的导通电阻(典型值50毫欧)是其关键优势之一,在最大1.1A的连续输出电流下,能有效降低开关通路上的功率损耗和压降,提升系统整体能效,尤其适用于电池供电的便携设备。其压摆率受控型的开关特性,通过内部电路对MOSFET的开启与关断速率进行优化控制,能够显著抑制因负载突然接入或断开而产生的浪涌电流和电压过冲,从而减少对电源网络的干扰,并保护敏感的负载电路。在保护功能方面,芯片集成了反向电流阻断机制,当输出端电压高于输入端时(例如在热插拔或系统关机序列中),能有效防止电流倒灌,保护上游电源和开关本身。

在接口与参数方面,ADP195ACBZ-R7采用简单的开/关非反相逻辑接口,通过一个使能(ON)引脚即可实现通断控制,高电平有效,兼容常见的GPIO电平,易于与微控制器或电源管理单元连接。其工作电压范围覆盖1.1V至3.6V,完美适配现代低电压核心处理器、存储器及各类外围芯片的供电需求。器件采用超小型的4引脚WLCSP封装(尺寸仅0.95mm x 1.03mm),非常适合空间受限的紧凑型设计。其坚固的设计支持-40°C至125°C的宽结温范围,确保在严苛的工业与汽车环境下稳定工作。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ADI代理获取原厂正品和技术支持。

基于其紧凑尺寸、高效率和高可靠性,ADP195ACBZ-R7广泛应用于需要精细电源域管理的场景。在智能手机、平板电脑、可穿戴设备中,它常用于对摄像头模块、传感器、显示背光或子处理器进行上电时序控制和节能关断。在物联网终端和便携式医疗设备中,它用于管理无线通信模块(如Wi-Fi、蓝牙)的供电,以最大化电池续航。此外,在工业自动化控制板、汽车信息娱乐系统等对可靠性要求极高的领域,其反向电流保护和宽温工作特性使其成为电源分配路径上的理想选择,确保系统稳定运行并简化保护电路设计。

  • 制造商产品型号:ADP195ACBZ-R7
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WLCSP
  • 产品系列:电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率-输入:输出:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:P 通道
  • 接口:开/关
  • 电压-负载:1.1V ~ 3.6V
  • 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要
  • 电流-输出(最大值):1.1A
  • 导通电阻(典型值):50 毫欧
  • 输入类型:非反相
  • 特性:压摆率受控型
  • 故障保护:反向电流
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:4-WLCSP(0.95x1.03)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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