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ADP191ACBZ-R7技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:电源管理IC - 配电开关,负载驱动器,供应商器件封装:4-WLCSP(0.76x0.76)
  • 技术参数:IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WLCSP
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ADP191ACBZ-R7技术参数详情说明:

ADP191ACBZ-R7是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计的高性能P沟道MOSFET负载开关,采用先进的4-WLCSP(0.76mm x 0.76mm)超小型封装,专为空间受限的便携式和电池供电设备而优化。其核心架构基于一个集成的P沟道功率MOSFET,采用高端开关配置,实现了输入到输出的1:1直通式功率路径管理。该设计无需独立的VCC或VDD供电引脚,简化了外围电路,其工作电压范围覆盖1.1V至3.6V,完美适配单节锂离子电池或低压数字电源轨。

该器件集成了多项关键功能以提升系统可靠性与性能。其典型导通电阻仅为80毫欧,在高达500mA的连续输出电流下能有效降低导通压降和功率损耗,显著提升电源效率并减少发热。内置的压摆率控制(Slew Rate Controlled)电路是其另一大亮点,它能够主动管理开关导通时的电流上升速率,从而有效抑制由热插拔或快速开关操作引起的浪涌电流和电源电压跌落,降低对下游敏感电路的噪声干扰。同时,负载释放(Quick Output Discharge)功能在开关关断时,通过内部放电路径迅速释放输出端的残留电荷,确保负载快速、确定性地进入关断状态,增强了系统的可控性与安全性。

在接口与控制方面,ADP191ACBZ-R7提供了一个简单的非反相开/关(ON/OFF)逻辑接口,兼容低压CMOS/GPIO电平,易于与各类微控制器或电源管理单元连接。其输入类型为非反相,高电平有效,使得控制逻辑直观简洁。该器件的工作温度范围宽广,从-40°C到125°C(结温),确保了在严苛工业或汽车环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和正品保障的客户,通过ADI授权代理进行采购是确保产品性能和长期供货支持的关键。

凭借其紧凑尺寸、高效率与出色的瞬态管理能力,这款负载开关非常适合应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式医疗仪器以及物联网传感器节点中,用于对系统内各子模块(如传感器、存储器、外设接口等)的电源进行精确的时序控制和开关管理,从而实现系统级的功耗优化与电源完整性保障。

  • 制造商产品型号:ADP191ACBZ-R7
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WLCSP
  • 产品系列:电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率-输入:输出:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:P 通道
  • 接口:开/关
  • 电压-负载:1.1V ~ 3.6V
  • 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要
  • 电流-输出(最大值):500mA
  • 导通电阻(典型值):80 毫欧
  • 输入类型:非反相
  • 特性:负载释放,压摆率受控型
  • 故障保护:-
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:4-WLCSP(0.76x0.76)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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