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ADN4655BRWZ-RL7技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:数字隔离器,封装:20-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 技术参数:DGT ISO 5000VRMS 2CH LVDS 20SOIC
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ADN4655BRWZ-RL7技术参数详情说明:

ADN4655BRWZ-RL7是一款基于亚德诺半导体(ADI)先进iCoupler磁隔离技术的双通道高速数字隔离器。该器件采用磁耦合技术,通过片上微型变压器传输信号,实现了高达5000VRMS的电气隔离,有效阻断了地电位差和噪声干扰,为系统提供了可靠的安全屏障。其核心架构集成了高速LVDS(低压差分信号)收发器,能够在两个隔离域之间实现极低抖动和低偏斜的信号传输,确保了数据完整性和时序精度。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的高速性能和鲁棒性上。它支持高达1.25Gbps的数据速率,同时传播延迟极低,典型值仅为4.5ns,并且上升/下降时间快至350ps,这使得它非常适合对时序要求苛刻的高速数据链路。其共模瞬变抗扰度(CMTI)最小值高达25kV/s,即使在工业电机驱动或电源转换等存在剧烈电压瞬变的环境中,也能保证信号传输的稳定可靠,避免因共模噪声导致的误码。高数据速率、低延迟与高抗扰度的结合,构成了其在高速隔离应用中的核心优势。

在接口与电气参数方面,ADN4655BRWZ-RL7提供两个独立的单向隔离通道(每侧各一个),采用2.5V单电源供电(范围2.375V至2.625V),简化了系统电源设计。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C的工业级标准,采用20引脚SOIC宽体封装,满足表面贴装工艺要求,并提供了充足的爬电距离和电气间隙以实现高隔离等级。对于需要可靠高速隔离解决方案的设计工程师而言,通过ADI中国代理可以获取完整的技术支持与供应链服务。

基于上述特性,ADN4655BRWZ-RL7的应用场景主要集中于需要高速、高可靠性电气隔离的领域。它非常适用于工业自动化中的高速通信背板、隔离式数据采集系统的数字接口、医疗成像设备的数据传输链路,以及可再生能源系统中逆变器与控制器之间的信号隔离。在这些应用中,它不仅能保护低压控制电路免受高压侧故障的影响,更能确保高速数字信号跨越隔离栅时保持极佳的信号质量与完整性。

  • 制造商产品型号:ADN4655BRWZ-RL7
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:DGT ISO 5000VRMS 2CH LVDS 20SOIC
  • 系列:数字隔离器
  • 零件状态:有源
  • 技术:磁耦合
  • 类型:LVDS
  • 隔离式电源:无
  • 通道数:2
  • 输入-侧1/侧2:1/1
  • 通道类型:单向
  • 电压-隔离:5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值):25kV/s
  • 数据速率:1.25Gbps
  • 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):4.5ns,4.5ns
  • 脉宽失真(最大):-
  • 上升/下降时间(典型值):350ps,350ps(最大)
  • 电压-供电:2.375V ~ 2.625V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:20-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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