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ADL5353ACPZ-R7技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频混频器,封装:20-WQFN,CSP
  • 技术参数:IC MIXER 2.2-2.7GHZ 20LFCSP
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ADL5353ACPZ-R7技术参数详情说明:

ADL5353ACPZ-R7是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能、有源双平衡混频器,采用先进的硅锗(SiGe)BiCMOS工艺制造,专为2.2GHz至2.7GHz频段内的上变频或下变频应用而优化。其核心架构集成了一个高性能的本地振荡器(LO)缓冲放大器和一个双平衡吉尔伯特单元(Gilbert Cell)混频器内核,这种设计确保了在宽频率范围内出色的端口间隔离度与线性度。芯片内部集成的LO缓冲器能够直接驱动混频器开关,有效降低了对外部LO驱动功率的要求,同时显著改善了LO到射频(RF)及中频(IF)的泄漏性能。

该器件在指定的2.2GHz至2.7GHz射频/本振频率范围内,能够提供8.7dB的典型转换增益,这有助于降低系统对后续中频放大级的要求。其噪声系数典型值为9.8dB,结合良好的线性度指标,为接收链路提供了优异的动态范围。供电方面,ADL5353ACPZ-R7工作电压范围宽泛,支持3.3V至5V单电源供电,典型工作电流为125mA,便于集成到多种系统电源方案中。其接口设计简洁,射频(RF)、本振(LO)和中频(IF)端口均为单端50欧姆匹配,极大简化了外围匹配电路的设计难度。

在关键参数上,该混频器展现了其作为专业射频器件的优势。除了高增益和适中的噪声系数,其输入三阶交调截点(IIP3)等线性度指标在同类产品中表现突出,确保了在存在强干扰信号的环境下仍能保持高保真度的信号转换。器件采用紧凑的20引脚LFCSP(引线框架芯片级封装)封装,尺寸仅为4mm x 4mm,非常适合对空间有严苛要求的表面贴装应用。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过正规的ADI一级代理商获取该产品的技术支持和库存信息。

ADL5353ACPZ-R7主要面向现代无线通信基础设施,尤其适用于2.3GHz至2.7GHz频段的无线宽带接入、点对点射频链路以及专用移动无线电系统。其性能特性使其能够胜任基站收发信台(BTS)中的上变频发射链或下变频接收链角色,是实现高数据吞吐量和稳定连接的关键元器件之一。尽管其零件状态标注为停产,但在许多现有通信设备的设计与维护中,它仍然是一个经过验证的、高性能的射频解决方案。

  • 制造商产品型号:ADL5353ACPZ-R7
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC MIXER 2.2-2.7GHZ 20LFCSP
  • 系列:射频混频器
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 零件状态:停产
  • 射频类型:手机
  • 频率:2.2GHz ~ 2.7GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:8.7dB
  • 噪声系数:9.8dB
  • 辅助属性:-
  • 电流-供电:125mA
  • 电压-供电:3.3V ~ 5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:20-WQFN,CSP
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为ADI代理商的战略合作伙伴,我们长期提供ADL5353ACPZ-R7现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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