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ADG936BRU-R-REEL7技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频开关,封装:20-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 技术参数:IC RF SWITCH SPDT 2GHZ 20TSSOP
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ADG936BRU-R-REEL7技术参数详情说明:

ADG936BRU-R-REEL7是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能射频开关集成电路。该器件采用反射式拓扑结构,内部集成了两个独立的单刀双掷(SPDT)开关电路,能够在高达2GHz的宽频带范围内实现精确的信号路径切换。其核心架构基于先进的半导体工艺,确保了在射频信号处理中具备优异的线性度和隔离性能,同时维持了紧凑的封装尺寸,为空间受限的射频前端设计提供了高集成度的解决方案。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的射频性能指标上。在1GHz的典型测试频率下,插损低至0.9dB,这最大限度地减少了信号通过开关时的功率衰减,对于接收链路灵敏度或发射链路效率至关重要。同时,端口间隔离度高达36dB,有效抑制了非选中路径的信号泄漏,保证了多通道系统间的信号完整性。其线性度表现同样出色,1dB压缩点(P1dB)为16dBm,三阶交调截点(IIP3)达到32dBm,使其能够处理相对较高的信号功率,并降低互调失真对系统动态范围的影响。

在接口与电气参数方面,ADG936BRU-R-REEL7设计为标准的50欧姆阻抗系统,便于与大多数射频组件直接匹配。其供电电压范围宽泛,支持1.65V至2.75V的单电源工作,兼容低电压数字逻辑电平,简化了电源设计并降低了系统功耗。器件采用20引脚TSSOP封装,工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要获取此型号样片或进行批量采购的工程师,通过正规的ADI一级代理商渠道是确保产品来源可靠和技术支持到位的重要途径。

基于其宽频带、低插损、高隔离和良好线性度的综合特性,ADG936BRU-R-REEL7非常适合应用于对信号路径切换性能有严格要求的场景。典型应用包括无线通信基础设施(如基站中的收发切换与分集接收)、测试与测量设备中的信号路由、以及便携式无线设备中的天线开关模块。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和稳定的性能使其在诸多现有系统和备件供应中仍具有重要价值。

  • 制造商产品型号:ADG936BRU-R-REEL7
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC RF SWITCH SPDT 2GHZ 20TSSOP
  • 系列:射频开关
  • 零件状态:停产
  • 射频类型:通用
  • 拓扑:反射
  • 电路:2 x SPDT
  • 频率范围:0Hz ~ 2GHz
  • 隔离:36dB
  • 插损:0.9dB
  • 测试频率:1GHz
  • P1dB:16dBm
  • IIP3:32dBm
  • 特性:-
  • 阻抗:50 欧姆
  • 电压-供电:1.65V ~ 2.75V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装:20-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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