

ADG936BRU-R-REEL技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频开关,封装:20-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
- 技术参数:IC RF SWITCH SPDT 2GHZ 20TSSOP
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ADG936BRU-R-REEL技术参数详情说明:
作为一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计的高性能射频开关,ADG936BRU-R-REEL采用了先进的反射式拓扑结构,其核心架构集成了两个独立的单刀双掷(SPDT)开关电路。这种设计允许信号在DC至2GHz的宽频带范围内,高效地在两条射频路径之间进行切换。芯片内部集成了精密的CMOS控制逻辑与优化的GaAs pHEMT开关单元,确保了在低电压供电条件下实现快速、可靠的信号路由,同时维持优异的射频性能与线性度。
该器件在1GHz测试频率下,能提供高达36dB的端口隔离度,并保持低于0.9dB的插入损耗,这显著降低了信号在切换过程中的衰减与通道间串扰。其线性度指标同样突出,1dB压缩点(P1dB)为16dBm,三阶交调截点(IIP3)达到32dBm,这使得它能够处理相对较高的射频功率,同时最大限度地减少非线性失真,适用于对信号保真度要求苛刻的应用环境。宽工作电压范围(1.65V至2.75V)与标准的50欧姆阻抗匹配,进一步简化了其在各种射频前端模块中的集成设计。
在接口与参数方面,该芯片采用紧凑的20引脚TSSOP封装,便于高密度PCB布局。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。虽然该型号目前已处于停产状态,但通过正规的ADI代理渠道,工程师依然可以获取库存或寻找功能兼容的替代方案,以支持现有系统的维护与升级。
基于其优异的宽带性能与高线性度,ADG936BRU-R-REEL非常适合应用于无线通信基础设施、测试与测量设备、卫星通信系统以及军用射频前端等场景。具体而言,它可以用于天线分集切换、发射/接收(T/R)切换、多频段信号路由或作为自动化测试设备中的可编程信号路径选择器,是构建高性能、高可靠性射频系统的关键组件之一。
- 制造商产品型号:ADG936BRU-R-REEL
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC RF SWITCH SPDT 2GHZ 20TSSOP
- 系列:射频开关
- 零件状态:停产
- 射频类型:通用
- 拓扑:反射
- 电路:2 x SPDT
- 频率范围:0Hz ~ 2GHz
- 隔离:36dB
- 插损:0.9dB
- 测试频率:1GHz
- P1dB:16dBm
- IIP3:32dBm
- 特性:-
- 阻抗:50 欧姆
- 电压-供电:1.65V ~ 2.75V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装:20-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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