

ADG918BRM-REEL技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频开关,封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 技术参数:IC RF SWITCH SPDT 2GHZ 8MSOP
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ADG918BRM-REEL技术参数详情说明:
ADG918BRM-REEL是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计生产的单刀双掷(SPDT)吸收式射频开关。该器件采用先进的CMOS工艺制造,其核心架构集成了高性能的开关晶体管阵列与集成式吸收端接电阻,能够在射频信号路径切换时,将未选通的端口有效端接至地,从而显著改善端口间的隔离度并减少信号反射,这对于维持系统驻波比(VSWR)和信号完整性至关重要。
该开关的功能特点突出体现在其宽频带与高性能的平衡上。它支持从直流(DC)到2GHz的宽广频率范围,在1GHz测试频率下,能提供高达37dB的出色隔离度,同时插入损耗低至0.8dB,确保了信号在通过开关时的传输效率。其线性度指标同样优异,1dB压缩点(P1dB)为17dBm,三阶交调截点(IIP3)高达36dBm,这使得它能够处理相对较高的射频功率,同时在大信号条件下保持较低的失真,适用于对动态范围有要求的应用场景。
在接口与电气参数方面,ADG918BRM-REEL采用单电源供电,电压范围宽达1.65V至2.75V,与低电压数字系统(如1.8V或2.5V逻辑)兼容性良好,简化了电源设计。其控制接口为标准CMOS/TTL兼容电平,切换速度快。器件采用紧凑的8引脚MSOP封装,非常适合空间受限的PCB布局。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,保证了在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供应链的客户,可以通过专业的ADI芯片代理获取相关产品信息与技术支持。
基于其综合性能,ADG918BRM-REEL广泛应用于无线通信基础设施、测试与测量设备、有线电视(CATV)系统以及各类需要高频信号路由的场合。例如,在射频测试仪中用于信号源与多路被测设备之间的切换;在无线收发模块中实现发射与接收路径的切换(T/R切换);或是在多模多频段前端模块中作为信号选择开关。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有系统设计和备件供应中,它仍是一款经典且性能可靠的选择。
- 制造商产品型号:ADG918BRM-REEL
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC RF SWITCH SPDT 2GHZ 8MSOP
- 系列:射频开关
- 零件状态:停产
- 射频类型:通用
- 拓扑:吸收
- 电路:SPDT
- 频率范围:0Hz ~ 2GHz
- 隔离:37dB
- 插损:0.8dB
- 测试频率:1GHz
- P1dB:17dBm
- IIP3:36dBm
- 特性:-
- 阻抗:-
- 电压-供电:1.65V ~ 2.75V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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