

ADG901SCPZ-EP-RL7技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频开关,封装:8-WFDFN,CSP
- 技术参数:IC RF SWITCH SPST 1GHZ 8LFCSP
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ADG901SCPZ-EP-RL7技术参数详情说明:
ADG901SCPZ-EP-RL7是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的增强型产品(EP)射频开关,采用紧凑的8引脚LFCSP封装。该器件基于先进的CMOS工艺和优化的射频架构,实现了在直流至1GHz频率范围内的高性能信号路由。其核心是一个单刀单掷(SPST)开关电路,设计用于在50欧姆的标称系统中提供低插入损耗和高隔离度的信号路径切换,内部集成了驱动逻辑和ESD保护电路,确保在宽电源电压范围内稳定工作。
该射频开关在1GHz测试频率下表现出卓越的电气性能,其插入损耗典型值低至0.8dB,这意味着信号通过开关时的衰减被控制在极低水平,对于维持系统链路预算至关重要。同时,其端口隔离度高达38dB,能有效抑制关断通道的信号泄漏,避免对相邻通道造成干扰。在功率处理能力方面,该器件拥有17dBm的1dB压缩点(P1dB)和36dBm的输入三阶交调截点(IIP3),确保了在接收和发射路径中处理一定功率信号时的线性度,减少了信号失真。
接口与控制方面,ADG901SCPZ-EP-RL7采用标准的CMOS/TTL兼容逻辑控制,供电电压范围宽达1.65V至2.75V,使其能轻松与多种数字处理器和低电压系统集成。其工作温度范围覆盖-55°C至125°C的严苛工业与军用级标准,结合其增强型产品(EP)的可靠性流程,使其适用于对稳定性和环境适应性要求极高的场合。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过ADI中国代理获取产品、样片以及详细的设计资源。
凭借其宽频带、低损耗、高隔离和良好的线性度特性,该器件非常适合应用于无线基础设施、测试与测量设备、军用通信系统以及航空航天电子等领域。具体场景包括射频前端模块中的收发切换、自动测试设备(ATE)中的信号路由、以及需要高可靠性信号切换的相控阵雷达子系统。其小型化的封装也为空间受限的PCB设计提供了便利。
- 制造商产品型号:ADG901SCPZ-EP-RL7
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC RF SWITCH SPST 1GHZ 8LFCSP
- 系列:射频开关
- 零件状态:有源
- 射频类型:-
- 拓扑:-
- 电路:SPST
- 频率范围:0Hz ~ 1GHz
- 隔离:38dB
- 插损:0.8dB
- 测试频率:1GHz
- P1dB:17dBm
- IIP3:36dBm
- 特性:-
- 阻抗:50 欧姆
- 电压-供电:1.65V ~ 2.75V
- 工作温度:-55°C ~ 125°C
- 封装:8-WFDFN,CSP
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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