ADG836YRM技术参数

ADG836YRM是ADI（Analog Devices）推出的一款高性能、双通道单刀双掷（SPDT）模拟开关集成电路。该器件采用先进的CMOS工艺制造，其核心架构设计旨在实现极低的导通电阻与出色的通道匹配性能，同时保证信号路径的高保真度。每个独立的开关单元均具备优异的隔离特性，内部集成了优化的驱动与控制逻辑，确保在宽电源电压范围内稳定工作，为精密信号路由与切换应用提供了可靠的硬件基础。

该芯片的功能特点突出体现在其极低的650毫欧最大导通电阻以及仅40毫欧的通道间导通电阻匹配度上，这显著降低了信号路径的插入损耗与失真。其开关速度极快，开启与关闭时间最大值分别为26纳秒和7纳秒，结合高达57MHz的-3dB带宽，使其能够无缝处理中高频模拟或数字信号。此外，低至200pA的关断漏电流、40pC的电荷注入以及-90dB @ 100kHz的串扰抑制能力，共同保障了系统在静态与动态下的高精度与低干扰，特别适合对信号完整性要求严苛的场合。

在接口与关键参数方面，ADG836YRM采用单电源供电，电压范围覆盖1.65V至3.6V，与主流低电压逻辑电平完全兼容，便于在便携式与电池供电设备中集成。其提供两个独立的SPDT开关（即2:1多路复用器/解复用器配置），封装为紧凑的10引脚MSOP，支持表面贴装。工作温度范围宽达-40°C至125°C，确保了在工业与汽车等恶劣环境下的可靠性。对于需要获取此型号技术资料或样片的工程师，可以通过专业的ADI中国代理进行咨询与采购。

基于上述特性，ADG836YRM非常适合应用于需要高性能信号切换的领域。典型场景包括便携式医疗监测设备中的传感器信号选通、通信系统的天线切换与信号路径选择、自动化测试设备（ATE）中的精密信号矩阵构建，以及各类电池供电的便携式音频、视频设备中的输入/输出路由。其优异的性能使其成为在空间受限且对功耗、速度及信号质量均有高要求的系统设计中的理想选择。

• 制造商产品型号：ADG836YRM
• 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
• 描述：IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP
• 产品系列：接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
• 包装：管件
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 开关电路：SPDT
• 多路复用器/解复用器电路：2：1
• 电路数：2
• 导通电阻（最大值）：650 毫欧
• 通道至通道匹配(ΔRon)：40 毫欧
• 电压-电源，单(V+)：1.65V ~ 3.6V
• 电压-供电，双(V±)：-
• 开关时间(TonToff)（最大值）：26ns，7ns
• -3db带宽：57MHz
• 电荷注入：40pC
• 沟道电容(CS(off)，CD(off))：25pF
• 电流-漏泄(IS(off))（最大值）：200pA（标准）
• 串扰：-90dB @ 100kHz
• 工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：10-TFSOP，10-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为ADI代理商的战略合作伙伴，我们长期提供ADG836YRM现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。