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ADG823BRM技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器,产品封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 技术参数:IC SWITCH DUAL SPST 8MSOP
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ADG823BRM技术参数详情说明:

ADG823BRM是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能、双通道单刀单掷(SPST)模拟开关集成电路。该器件采用先进的CMOS工艺制造,其核心架构集成了两个独立的开关单元,每个单元均可配置为常开(NO)或常闭(NC)模式,提供了灵活的信号路径控制能力。这种设计使得芯片在单电源1.8V至5.5V的宽电压范围内均能稳定工作,兼容从传统5V系统到现代低至1.8V的低功耗应用场景,确保了出色的电源适应性。

在功能特性方面,该芯片的突出优势在于其极低的导通电阻,典型值仅为600毫欧,并且通道间的导通电阻匹配度(ΔRon)非常出色,典型值为160毫欧。这一特性对于需要高精度信号传输和最小失真的应用至关重要,能有效降低信号路径上的压降和失真。快速的开关性能是另一大亮点,其开启时间(Ton)和关断时间(Toff)最大值分别仅为45纳秒和16纳秒,结合高达24MHz的-3dB带宽,使其能够胜任高速信号切换与路由任务。此外,芯片在关断状态下具有极低的漏电流(最大250pA)和出色的隔离度,串扰在1MHz时低至-82dB,有效保证了信号通道间的独立性,减少了相互干扰。

从接口与电气参数来看,ADG823BRM采用紧凑的8引脚MSOP封装,支持表面贴装,非常适合空间受限的PCB设计。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至125°C,确保了在严苛环境下的可靠性。芯片的电荷注入典型值仅为15pC,关断时的源极和漏极电容也保持在较低水平,这些参数共同作用,使其在采样保持电路、精密数据采集系统等对开关瞬态效应敏感的应用中表现优异。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理商获取相关产品信息与供应链服务。

基于上述技术特点,ADG823BRM广泛应用于便携式电池供电设备、通信系统、测试与测量仪器以及工业自动化控制等领域。具体应用场景包括音频和视频信号的路由选择、电源排序控制、模数转换器(ADC)输入通道的多路复用、自动测试设备(ATE)中的信号矩阵切换,以及需要高保真度、快速响应的通用信号开关系统。尽管该产品目前已处于停产状态,但其在低导通电阻、高速开关和宽电压工作范围方面设定的性能标杆,使其在诸多现有设计中仍具有重要的参考和应用价值。

  • 制造商产品型号:ADG823BRM
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC SWITCH DUAL SPST 8MSOP
  • 产品系列:接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 开关电路:SPST - 常开/常闭
  • 多路复用器/解复用器电路:1:1
  • 电路数:2
  • 导通电阻(最大值):600 毫欧
  • 通道至通道匹配(ΔRon):160 毫欧
  • 电压-电源,单(V+):1.8V ~ 5.5V
  • 电压-供电,双(V±):-
  • 开关时间(TonToff)(最大值):45ns,16ns
  • -3db带宽:24MHz
  • 电荷注入:15pC
  • 沟道电容(CS(off),CD(off)):85pF,98pF
  • 电流-漏泄(IS(off))(最大值):250pA
  • 串扰:-82dB @ 1MHz
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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