

AD8643TRZ-EP技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器,产品封装:14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC
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AD8643TRZ-EP技术参数详情说明:
AD8643TRZ-EP是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款增强型产品(EP),专为要求高可靠性和宽温度范围的应用而设计。该器件在一个紧凑的14引脚SOIC封装内集成了四个独立的精密运算放大器,其核心基于JFET输入级架构。这种架构是实现极低输入偏置电流(典型值0.25pA)和低输入失调电压(典型值50V)的关键,使其在需要高输入阻抗和精密信号调理的场合表现出色。
该放大器具备满摆幅输出能力,能够在整个供电电压范围内提供接近轨到轨的输出信号,最大限度地提高了动态范围。其增益带宽积为3.5MHz,压摆率为3V/s,在保证精度的同时提供了良好的动态响应。每个放大器的静态电流极低,仅为200A,四个通道同时工作时功耗控制优异,非常适合电池供电或对功耗敏感的系统。其宽电源电压范围(单电源5V至26V,双电源±2.5V至±13V)提供了极大的设计灵活性,能够适应多种供电环境。
在接口与参数方面,AD8643TRZ-EP的输入级JFET设计使其几乎不吸收输入电流,非常适合连接高阻抗传感器,如光电二极管、压电传感器等。其输出级能够提供高达12mA的驱动电流,可直接驱动中等负载。该器件经过严格的测试和筛选,工作温度范围覆盖-55°C至125°C的军工级标准,确保了在极端环境下的稳定性和可靠性。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的客户,通过ADI授权代理进行采购是确保产品正品和质量的重要途径。
基于其高精度、低功耗、多通道和宽温工作的特点,该芯片广泛应用于测试与测量设备、高精度数据采集系统、工业过程控制、医疗仪器以及航空航天和国防电子等领域。无论是用于多路传感器信号的前置放大、有源滤波,还是作为精密积分器或比较器,AD8643TRZ-EP都能提供可靠且高性能的解决方案。
- 制造商产品型号:AD8643TRZ-EP
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC
- 产品系列:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
- 包装:管件
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 放大器类型:J-FET
- 电路数:4
- 输出类型:满摆幅
- 压摆率:3V/s
- 增益带宽积:3.5MHz
- -3db带宽:-
- 电流-输入偏置:0.25pA
- 电压-输入补偿:50V
- 电流-供电:200A(x4 通道)
- 电流-输出/通道:12mA
- 电压-供电,单/双(±):5V ~ 26V,±2.5V ~ 13V
- 工作温度:-55°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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