

AD712TRZ-EP技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
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AD712TRZ-EP技术参数详情说明:
AD712TRZ-EP是一款由亚德诺半导体(ADI)设计生产的双通道、高性能JFET输入运算放大器。该器件采用先进的JFET输入级架构,实现了极低的输入偏置电流(典型值25pA)和输入失调电压(典型值300V),这使其在需要高输入阻抗和精密信号处理的电路中表现出色。其内部集成了两个完全独立的运算放大器单元,每个通道均具备出色的直流精度和交流性能,为复杂的多通道模拟信号调理提供了紧凑而可靠的解决方案。
该放大器的性能特点十分突出。其3MHz的增益带宽积与20V/s的高压摆率确保了在音频处理、有源滤波和高速数据采集等应用中对信号快速变化的精确响应能力。宽泛的电源电压范围(±4.5V至±18V)赋予了设计者极大的灵活性,能够适应从单电源到高电压双电源的各种供电环境。同时,高达25mA的输出电流驱动能力使其能够直接驱动诸如ADC输入或中等负载,简化了系统级设计。对于需要长期稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理获取该产品及相关设计资源。
在电气参数方面,AD712TRZ-EP在-55°C至125°C的扩展工业温度范围内保证性能,这使其能够胜任航空航天、国防以及严苛工业环境下的应用。其低至5mA(典型值)的静态电流在提供高性能的同时,也兼顾了系统的功耗考量。器件采用标准的8引脚SOIC表面贴装封装,便于自动化生产并节省电路板空间。
基于其精密的JFET输入特性、宽电源电压范围、高输出驱动能力以及扩展的工作温度范围,AD712TRZ-EP非常适合应用于测试与测量设备中的前置放大器、高阻抗传感器(如光电二极管、pH电极)的信号调理、有源滤波器设计、音频处理电路以及要求高可靠性的工业控制和航空航天电子系统。它为解决高精度、宽带宽的模拟信号处理挑战提供了一个经过验证的、稳健的构建模块。
- 制造商产品型号:AD712TRZ-EP
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
- 产品系列:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
- 包装:管件
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 放大器类型:J-FET
- 电路数:2
- 输出类型:-
- 压摆率:20V/s
- 增益带宽积:3MHz
- -3db带宽:4MHz
- 电流-输入偏置:25pA
- 电压-输入补偿:300V
- 电流-供电:5mA
- 电流-输出/通道:25mA
- 电压-供电,单/双(±):±4.5V ~ 18V
- 工作温度:-55°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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